KR950034463A - 모스 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 모스 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 그레인 결정방향이 다른 두층 이상의 실리콘층 패턴으로 게이트전극을 형성하여 게이트전극 양측의 반도체기판에 확산영역을 형성하기 위한 이온주입 공정시 게이트전극 하부의 채널영역으로의 불순물 채널링을 방지하였으므로, 기판 문턱 전류의 증가 및 문턱전압의 감소를 방지하여 소자동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 모스 전계효과 트랜지스터의 단면도.
Claims (6)
- 반도체기판의 일측에 소자분리영역 및 동작영역을 분리하기 위하여 형성되어 있는 소자분리 절연막과, 상기 반도체기판의 동작영역상에 형성되어 있는 게이트산화막과, 상기 게이트산화막상에 그레인 결정방향이 다른 두층 이상의 실리콘층 패턴으로 형성되어 있는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극의 측벽에 형성되어 있는 절연 스페이서와, 상기 게이트전극 양측 하부의 반도체기판에 형성되어 있는 확산영역을 구비하는 모스 전계효과 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 게이트전극이 다결정실리콘으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 모스 전계효과 트랜지스터.
- 제2항에 있어서, 상기 게이트전극이 비정질 실리콘으로 형성되어 있고, 불순물 이온을 주입하여 형성하는 것을 특징으로 하는 모스 전계효과 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 게이트전극이 다결정실리콘층과 비정질 실리콘층의 적층막으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 모스 전계효과 트랜지스터.
- 반도체기판의 일측에 소자분리를 위한 소자분리 절연막을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판상에 게이트 산화막을 형성하는 공정과, 상기 게이트산화막상에 그레인 결정방향이 다른 두층 이상의 실리콘 층 패턴으로된 게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극에 의해 노출되어 있는 반도체기판상에 저농도 불순물 확산영역을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극의 측벽에 절연 스페이서를 형성하는 공정과, 상기 절연 스페이서를 마스크로 상기 노출되어 있는 저농도 불순물 확산영역과 중첩되는 고농도불순물 확산영역을 형성하는 공정을 구비하는 모스 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
- ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940010990A KR950034463A (ko) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | 모스 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940010990A KR950034463A (ko) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | 모스 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR950034463A true KR950034463A (ko) | 1995-12-28 |
Family
ID=66682570
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019940010990A KR950034463A (ko) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | 모스 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR950034463A (ko) |
-
1994
- 1994-05-20 KR KR1019940010990A patent/KR950034463A/ko not_active Application Discontinuation
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