KR950028016A - 박막트랜지스터의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 온 특성을 향상시키기 위한 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다. 이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 기판에 게이트전극을 형성하고 전면에 게이트 절연막을 형성하는 공정과, 상기 게이트 절연막위의 활성영역에 다결정 실리콘층을 형성하는 공정과, 상기 다결정 실리콘층 양상측 소오스 및 드레인영역에 비정질 실리콘층 및 n+도핑된 반도체층을 선택적으로 적층시키는 공정과, 전면에 절연막을 증착한 다음 소오스 및 드레인 영역에 콘택홀을 형성하고 콘택홀영역에 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 공정으로 이루어진 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 박막트랜지스터의 공정단면도.
Claims (2)
- 기판에 게이트전극을 형성하고 전면에 게이트 절연막을 형성하는 공정과, 상기 게이트 절연막위의 활성영역에 다결정 실리콘층을 형성하는 공정과, 상기 다결정 실리콘층 양상측 소오스 및 드레인영역에 비정질 실리콘층 및 n+도핑된 반도체층을 선택적으로 적층시키는 공정과, 전면에 절연막을 증착한 다음 소오스 및 드레인영역에 콘택홀을 형성하고 콘택홀영역에 소오스 및 드레인전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로하는 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 다결정 실리콘층은 비정질 실리콘을 증착하고 엑사이머 레이저로 다결정화 하여 형성함을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940006062A KR950028016A (ko) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 박막트랜지스터의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940006062A KR950028016A (ko) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 박막트랜지스터의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950028016A true KR950028016A (ko) | 1995-10-18 |
Family
ID=66677314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940006062A KR950028016A (ko) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 박막트랜지스터의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950028016A (ko) |
-
1994
- 1994-03-25 KR KR1019940006062A patent/KR950028016A/ko not_active Application Discontinuation
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