KR940016889A - 박막트랜지스터 제조방법 - Google Patents
박막트랜지스터 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR940016889A KR940016889A KR1019920023326A KR920023326A KR940016889A KR 940016889 A KR940016889 A KR 940016889A KR 1019920023326 A KR1019920023326 A KR 1019920023326A KR 920023326 A KR920023326 A KR 920023326A KR 940016889 A KR940016889 A KR 940016889A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- ion implantation
- polysilicon
- forming
- substrate
- thin film
- Prior art date
Links
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 소자중 박막트랜지스터 제조방법에 관한것으로 종래에는 유리기판위에 액티브층을 형성하고 절연시킨뒤 게이트 전극을 형성하여 이온주입 공정으로 소오스/드레인 영역을 형성하였다. 따라서 이온주입 공정때문에 고가의 이온주입 장비가 필요하고 이온주입후 고온으로 열처리 해야하므로 기판 사용에 제약을 받는다.
본 발명은 기판위에 게이트를 형성하고 절연시킨 뒤 폴리실리콘으로 액티브층을 형성하고 n+마이크로 크리스탈 실리콘으로 소오스/드레인 영역을 형성함으로써, 고가의 이온주입 장비가 필요없이 설치비가 감소하고 열처리(고온)공정이 불필요함으로 기판 사용에 제약이 없다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 본 발명의 박막트랜지스터 공정 단면도.
Claims (4)
- 절연기판(1)위에 게이트(8)을 형성하고 전면에 제 1 절연막(9)을 증착하는 제 1 공정과, 제 1 절연막(9)위에 비정질 실리콘(10)을 증착하고 어닐링하여 비정질 실리콘(10)을 폴리실리콘(10a)으로 형성하는 제 2 공정과, 게이트(8) 상측의 폴리실리콘(10a) 위에 제 2 절연막(11)을 형성하고 전면에 n+마이크로 크리스탈 실리콘(12)을 형성하는 제 3 공정과, 불필요한 부분의 n+마이크로-크리스탈 실리콘(12)과 폴리실리콘(10a)을 제거하여 소오스/드레인 영역을 형성하는 제 4 공정과, 전면에 제 3 절연막(13)을 증착하고 소오스/드레인 콘택홀을 형성하여 소오스/드레인 금속전극(14)을 형성하는 제 5 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 제 2 공정에서 비정질 실리콘(10)을 증착하지 않고 LPCVD법 또는 고온으로 폴리실리콘을 직접 증착함을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 제 2 공정의 어닐링은 엑시머 레이저를 사용하여 어닐링 함을 특징으로하는 박막트랜지스터 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 비정질 실리콘의 증착두께는 200~1000Å으로 형성함을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920023326A KR940016889A (ko) | 1992-12-04 | 1992-12-04 | 박막트랜지스터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920023326A KR940016889A (ko) | 1992-12-04 | 1992-12-04 | 박막트랜지스터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940016889A true KR940016889A (ko) | 1994-07-25 |
Family
ID=67211301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920023326A KR940016889A (ko) | 1992-12-04 | 1992-12-04 | 박막트랜지스터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940016889A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100420414B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2004-03-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 금속 배선 형성 방법 |
| KR100709282B1 (ko) * | 2004-12-27 | 2007-04-19 | 전자부품연구원 | 박막 트랜지스터 및 제조 방법 |
-
1992
- 1992-12-04 KR KR1019920023326A patent/KR940016889A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100420414B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2004-03-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 금속 배선 형성 방법 |
| KR100709282B1 (ko) * | 2004-12-27 | 2007-04-19 | 전자부품연구원 | 박막 트랜지스터 및 제조 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5834071A (en) | Method for forming a thin film transistor | |
| KR900019245A (ko) | 박막트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| TW367564B (en) | Forming method for polycrystalline silicon, thin film transistor containing the polycrystalline silicon and manufacturing method thereof, and the liquid crystal display containing the thin film transistor | |
| KR20030069779A (ko) | 박막트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| US6740547B2 (en) | Method for fabricating thin-film transistor | |
| KR980012600A (ko) | 반도체 장치 및 박막 트랜지스터의 제조 방법 | |
| KR940016889A (ko) | 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR100351869B1 (ko) | 회로내장티에프티-엘씨디제조방법 | |
| KR950028016A (ko) | 박막트랜지스터의 제조방법 | |
| KR960026968A (ko) | 이중게이트를 구비한 박막트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR940016894A (ko) | 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR950028011A (ko) | 액정표시소자용 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR940012653A (ko) | 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR960026438A (ko) | 박막 트랜지스터 제조방법 | |
| KR950030274A (ko) | 비정질실리콘 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR950028014A (ko) | 액정표시소자용 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR970054499A (ko) | 저온 폴리실리콘 초박막액정표시소자의 게이트 형성방법 | |
| KR940010310A (ko) | 박막 트랜지스터 제조방법 | |
| JPS59150478A (ja) | 薄膜回路装置 | |
| KR950034457A (ko) | 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR940001455A (ko) | 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 제조방법 | |
| KR100471392B1 (ko) | 박막트랜지스터의제조방법 | |
| KR940022897A (ko) | 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR970052785A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
| KR970013428A (ko) | 질화막을 게이트절연막으로 사용한 다결정실리콘 박막트랜지스터 및 그 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |