KR940016894A - 박막트랜지스터 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 박막 트랜지스터 제조방법에 관한 것으로 활성층의 균일도와, 소오스/드레인 영역의 도핑농도 균일성을 향상시키기 위한 박막 트랜지스터 제조방법에 관한 것이다.

종래에는 절연기판(1)에 비정질실리콘(2)으로 활성층을 형성하고, 채널영역에 감광막(3)을 형성한 후 n⁺비정질실리콘(4)을 증착하여 감광막(3)을 리프트-오프하였다. 그리고 액사이머 조사하고 절연막과 게이트소오스 드레인 전극을 형성하였다. 따라서 n⁺비정질 실리콘의 두께 조정이 어렵고, 채널층의 재결정화와, 소오스/드레인 도핑농도 균일도가 떨어졌다.

본 발명은 활성층으로 폴리실리콘을 사용하고 이온 버키트 소오스를 사용하여 2번에 걸쳐 소오스/드레인 이온주입한 후 액사이머 레이저로 조사하여 도판트를 활성화 시킨다. 따라서 채널영역의 재결정화 및 소오스/드레인의 도핑농도의 균일도가 향상된다.

Description

박막트랜지스터 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제 2 도는 본 발명의 박막 트랜지스터의 공정 단면도, 제 3 도는 본 발명에 따른 액사이머 레이저 조사농도와 표면저항 특성도.

Claims (2)

1. 절연기판(1)위에 폴리실리콘(9)을 증착하고 활성층을 패터닝하는 공정과, 채널영역의 폴리실리콘(9)위에 감광막(3)을 형성하고 폴리실리콘(9)에 이온주입하는 공정과, 감광막(3)을 제거하고 게이트절연막(6)을 형성하여 게이트절연막(6)위의 채널영역에 게이트전극(7)을 형성하는 공정과, 소오스/드레인 콘택홀을 형성하고 재차 이온주입하는 공정과, 액사이머 레이저로 조사하고 소오스/드레인 전극(8)을 형성하는 공정을 포함함을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법.
2. 제 1 항에 있어서, 이온주입은 이온 버키트 소오스를 사용하여 형성함을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.