KR960026427A - 박막트랜지스터의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 반도체기판상에 금속물질을 증착시킨 후 패터닝하여 게이트 전극을 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극이 형성된 구조물 전면에 절연물질을 증착시켜 제1게이트 절연막을 형성하는 공정과, 상기 제1게이트 절연막 위에 다시 불순물이 도핑된 제2게이트 절연막 및 비정질실리콘층을 순차적으로 적층시키는 공정과, 상기 게이트 전극 상부를 제외한 부분에 소스/드레인 전극을 형성하는 공정과, 레이저를 배면 조사하여 상기 게이트 전극 상부 이외의 비정질 실리콘층에 제2게이트 절연막의 불순물을 확산시키는 공정을 포함하여 구성되며, 상기와 같이 레이저를 사용하여 자기정합방식에 의해 오믹접촉층을 형성함으로써 채널보호층 형성을 생략하여 제조공정을 간략화할 수 있으며, 접촉저항을 줄이고 활성층의 두께를 감소시켜 누설전류 및 전류전압특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 박막트랜지스터의 제1실시예의 제조순서를 도시한 단면도, 제3도는 본 발명에 의한 박막트랜지스터의 제2실시예의 수직단면도.
Claims (4)
- 반도체기판상에 금속물질을 증착시킨 후 패터닝하여 게이트 전극을 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극이 형성된 구조물 전면에 절연물질을 증착시켜 제1게이트 절연막을 형성하는 공정과, 상기 제1게이트 절연막 위에 다시 불순물이 도핑된 제2게이트 절연막 및 비정질 실리콘층을 순차적으로 적층시키는 공정과, 상기 게이트 전극 상부를 제외한 부분에 소스/드레인 전극을 형성하는 공정과, 레이저를 배면 조사하여 상기 게이트 전극 상부 이외의 비정질 실리콘층에 제2게이트 절연막의 불순물을 확산시키는 공정을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2게이트 절연막은 인이 도핑된 산화막으로 구성된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 레이저는 XeCl 또는 XeF 레이저 중 어느 하나임을 특징으로 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1게이트 절연막과 제2게이트 절연막 대신 불순물이 도핑된 산화물로 이루어진 단일 게이트 절연막으로 구성된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940032470A KR960026427A (ko) | 1994-12-01 | 1994-12-01 | 박막트랜지스터의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940032470A KR960026427A (ko) | 1994-12-01 | 1994-12-01 | 박막트랜지스터의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026427A true KR960026427A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66648584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940032470A KR960026427A (ko) | 1994-12-01 | 1994-12-01 | 박막트랜지스터의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026427A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8921220B2 (en) | 2012-03-23 | 2014-12-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Selective low-temperature ohmic contact formation method for group III-nitride heterojunction structured device |
-
1994
- 1994-12-01 KR KR1019940032470A patent/KR960026427A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8921220B2 (en) | 2012-03-23 | 2014-12-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Selective low-temperature ohmic contact formation method for group III-nitride heterojunction structured device |
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