KR970024305A - 액정표시장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조방법 - Google Patents

액정표시장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조방법 Download PDF

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Abstract

이 발명은 액티브 레이어 내부에 형성되어 있는 n+ 이온 주입 영역 안쪽에 n- 이온 주입 영역을 형성함으로써, 누설 전류를 억제할 수 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 관한 것이다. 박막 트랜지스터의 다결정 실리콘막의 내부에 게이트 전극에 대응하는 위치의 좌우에 제1 불순물 이온 주입 영역이 형성되어 있고, 제1 불순물 이온 주입 영역의 안쪽으로 제2 불순물 이온 주입 영역이 형성되어 있어, 제1 불순물 이온 주입 영역과 제2 불순물 이온 주입 영역의 접합면에 공핍층이 형성되어 누설 전류를 억제하는 특징을 갖는다.

Description

액정표시장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 나타낸 단면도이다.

Claims (5)

  1. 기판 위에 액티브층인 다결정 실리콘막을 증착하는 단계, 상기 다결정 산화막 위에 CVD 산화막을 증착하는 단계, 열산화하여 하층 열산화막을 형성하는 단계, 상기 CVD 산화막 위에 절연막을 증착하는 단계, 상기 절연막 위에 상층 열산화막을 형성하는 단계, 상기 상층 열산화막 위에 다결정 실리콘막을 적층한 다음 패터닝하여 게이트 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극 둘레에 열산화막을 형성하는 단계, 상기 열산화막을 마스크로하여 상기 CVD막의 일부가 드러나도록 상기 상층 열산화막과 상기 절연막을 패터닝하는 단계, 상기 액티브층에 이온 주입하여 저농도 이온 주입 영역을 형성하는 단계, 스페이서를 적층한 후 상기 CVD막의 일부가 드러나도록 패터닝하는 단계, 이온 주입하여 고농도 이온 주입 영역을 형성하는 단계, 상기 스페이서를 제거하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  2. 제1항에서, 상기 절연막 위에 상층 열산화막을 형성할 때 습식 분위기에서 형성하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  3. 제1항에서, 상기 상층 열산화막 위에 다결정 실리콘막을 적층할 때 그 두께를 2000Å 내지 4000Å으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  4. 제1항에서, 상기 게이트 전극 둘레에 열산화막을 형성할 때 그 두께를 500Å 내지 700Å으로 형성하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  5. 제1항에서, 상기 열산화막은 마스크로 하여 상기 CVD 산화막의 일부가 드러나도록 패터닝 할 때 건식 식각으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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