KR940016852A - 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents

반도체 장치의 제조방법 Download PDF

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KR940016852A
KR940016852A KR1019920025842A KR920025842A KR940016852A KR 940016852 A KR940016852 A KR 940016852A KR 1019920025842 A KR1019920025842 A KR 1019920025842A KR 920025842 A KR920025842 A KR 920025842A KR 940016852 A KR940016852 A KR 940016852A
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Abstract

도전성 또는 절연성 하지층 위의 패터닝 되는 상부 막질의 형성시 건식 식각에 의한 상기 상부 막질의 패터닝은 건식 식각 챔버내에서 패터닝 후 O2플라즈마를 저 파워, 고압력에서 실시하여 하지층상의 대전층 형성을 억제하도록 하여 막질의 신뢰성을 개선하도록 함을 특징으로 반도체 장치의 제조방법에 관한 것.

Description

반도체 장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도면은 본 발명을 설명하기 위한 TFT의 단면도이다.

Claims (5)

  1. 도전성 또는 절연성 하지층 위의 패터닝 되는 상부 막질의 형성시 건식 식각에 의한 상기 상부 막질의 패터닝은 건식 식각 챔버내에서 패터닝 후 O2플라즈마를 저 파워, 고압력에서 실시하여 하지층상의 대전층 형성을 억제하도록 하여 막질의 신뢰성을 개선하도록 함을 특징으로 반도체 장치의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 O2플라즈마 생성 조건은 200W 파워, 500mTorr 압력에서 실시됨을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  3. 절연성 투명 기판 위에 형성된 메탈 라인을 패터닝하여 게이트 전극 라인을 형성하는 단계 ; 기판 전면에 절연층을 형성하는 단계 ; 절연층 위에 반도체층을 형성하고 건식 식각 방법으로 패터닝하여 동일 챔버내에서 O2플라즈마 처리 공정을 실시하여 절연층의 정전기 형성을 억제하는 단계 ; 및 오믹층과 소오스/드레인 전극을 패터닝하는 단계로 구성되어 박막 트랜지스터를 형성함으로 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 절연층은 게이트 전극 위에 형성된 양극 산화층을 또한 포함함을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  5. 제 3 항에 있어서, 상기 절연층 CVD방법으로 형성됨을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920025842A 1992-12-28 1992-12-28 반도체 장치의 제조방법 KR960006195B1 (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100299532B1 (ko) * 1998-09-14 2001-10-27 구본준, 론 위라하디락사 액정표시장치의정전기차단방법
US6496234B1 (en) 1999-09-16 2002-12-17 Lg Lcd, Inc. Liquid crystal panel having etched test electrodes

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