KR920005367A - 평탄면을 갖는 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법 - Google Patents

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KR920005367A
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KR1019900013640A
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최우호
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김정배
삼성전관 주식회사
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내용 없음

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평탄면을 갖는 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 평탄화공정을 이용하여 제조된 박막 트랜지스터의 단면도.

Claims (5)

  1. 유리기판(1)상에 전하축적용 캐패시터, 캐패시터 절연층(3), 화소전극(4) 및 화소 절연층(5)이 적층구조로 형성되며, 상기 화소 절연층(5)상에 게이트 전극(6) 및 소오스/드레인전극(10)이 형성되어 있는 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 게이트 전극(6)상에는 평탄면을 갖는 게이트 절연층(7), 비정질 반도체층(8) 및 n+오믹층(9)이 적층구조로 형성되며, 상기 소오스/드레인 영역(10)은 콘택용 패턴(6')을 통해 상기 화소전극(4)과 전기적으로 접촉되어지는 것을 특징으로 하는 평탄면을 갖는 박막 트랜지스터
  2. 유리기판(1)상에 전하 축적용 캐패시터(2)를 형성하고, 이 캐패시터를 전기적으로 절연시키기 위하여 캐패시터 절연층(3), 화소전극(4) 및 화소전극을 전기적으로 절연시키기 위한 화소 절연층(5)과 게이트 전극(6)을 순차 형성된 다음에 소오스/드레인 전극(10)을 형성하는 박막 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 상기 게이트 전극(6)상에 게이트 전극(6)을 전기적으로 절연시키기 위한 게이트 절연층(7)을 평탄화공정을 이용하여 형성한 다음, 평탄화된 게이트 절연층(7)상에 비정질 반도체층(8)및 n+오믹층(9)을 순차 형성하는 것을 특징으로 하는 평탄면을 갖는 박막 트랜지스터의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 게이트 절연층(7)을 평탄화시키기 위한 평탄화공정을 절연층(7')상에 포토레지스트막(11)을 두껍게 도포하는 공정과, 포토레지스트막(11)을 도포한 다음 게이트 절연층(7')을전면식각하여 식각 절연층(7')을 형성하는 공정과, 식각 절연층(7')상에 2차로 게이트 절연층(7")을 증착시키는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평탄면을 갖는 박막 트랜지스터의 제조방법.
  4. 제2항에 있어서, 식각 절연층(7')에 도포되는 절연층(7″)은 식각된 절연층을 보상하기 위하여 식각된 절연층의 두께만큼 플라즈마 증착법을 이용하여 증착되는 것을 특징으로 하는 평탄면을 갖는 박막 트랜지스터의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 평탄면을 갖는 식각 절연층(7')을 형성하기 위한 식각공정시 드라이 에칭법을 사용하는 것을 특징으로 하는 평탄면을 갖는 박막 트랜지스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
KR1019900013640A 1990-08-29 1990-08-29 평탄면을 갖는 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법 KR920005367A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100375369B1 (ko) * 2000-12-04 2003-03-10 박병근 생선회용 소스의 제조방법

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