KR950021761A - 박막트랜지스터 제조방법 - Google Patents
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
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- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
Abstract
본 발명은 박막트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 유리기판(1)상에 게이트전극(2)을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극(2)이 형성된 유리기판(1)전면에 게이트절연막(3), 반도체층(4), 식각저지층(5)을 차례로 형성하는 공정, 상기 식각저지층(5)상에 포토레지스트(PR)를 도포하는 공정, 상기 게이트전극(2)을 마스크로 이용한 배면노광에 의해 상기 포토레지스트(PR)를 패터닝하는 공정, 상기 포토레지스트패턴(PR)을 마스크로 이용하여 상기 식각저지층(5)을 식각하는 공정, 상기 결과물 전면에 미세결정 실리콘 n+층(9)을 형성하는 공정, 상기 잔존하는 포토레지스트패턴을 리프트오프에 의해 제거하는 공정, 상기 미세결정 실리콘 n+층(9)과 반도체층(4)을 패터닝하는 공정, 결과물 전면에 금속을 증착한 후 패터닝하여 소오스 및 드레인전극(8)을 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법을 제공함으로써 단순한 공정에 의해 성능이 우수한 박막트랜지스터가 실현될 수 있도록 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 박막트랜지스터 제조방법을 도시한 공정순서도.
Claims (1)
- 유리기판(1)상에 게이트전극(2)을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극(2)이 형성된 유리기판(1)전면에 게이트절연막(3), 반도체층(4), 식각저지층(5)을 차례로 형성하는 공정, 상기 식각저지층(5)상에 포토레지스트(PR)를 도포하는 공정, 상기 게이트전극(2)을 마스크로 이용한 배면노광에 의해 상기 포토레지스트(PR)를 패터닝하는 공정, 상기 포토레지스트패턴(PR)을 마스크로 이용하여 상기 식각저지층(5)을 식각하는 공정, 상기 결과물 전면에 미세결정 실리콘 n+층(9)을 형성하는 공정, 상기 잔존하는 포토레지스트패턴을 리프트오프에 의해 제거하는 공정, 상기 미세결정 실리콘 n+층(9)과 반도체층(4)을 패터닝하는 공정, 결과물 전면에 금속을 증착한 후 패터닝하여 소오스 및 드레인전극(8)을 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR1019930031538A KR100304911B1 (ko) | 1993-12-30 | 1993-12-30 | 박막트랜지스터제조방법 |
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Publications (2)
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| KR950021761A true KR950021761A (ko) | 1995-07-26 |
| KR100304911B1 KR100304911B1 (ko) | 2001-12-15 |
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| KR (1) | KR100304911B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
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-
1993
- 1993-12-30 KR KR1019930031538A patent/KR100304911B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100304911B1 (ko) | 2001-12-15 |
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