KR950015662A - 박막트랜지스터 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 박막트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 종래 박막트랜지스터 접합부와 관련된 박막트랜지스터의 동작의 불안정성 문제를 해결하기 위해 투명기판(100)상에 불투명 금속박막을 증착한 후 패터닝하여 소오스 및 드레인전극(10)을 형성하는 공정과, 상기 결과물상에 In원소가 도핑된 CdSe 박막을 증착한 후 패터닝하여 활성층(8)을 형성하는 공정, 상기 결과물상에 절연막(9)을 형성하는 공정, 상기 절연막(9)상에 포토레지스터 (PR)를 도포하는 공정, 상기 소오스 및 드레인전극(10)을 이용하여 후면노광을 행하여 상기 포토레지스트를 패터닝하는 공정, 상기 포토레지스트패턴(PR)을 미스크로 이용하여 상기 절연막(9)을 식각하는 공정, 산소분위기에서 열처리하는 공정, 상기 결과물 전면에 게이트절연막(11)을 형성하는 공정, 산소분위기에서 열처리하는 공정, 상기 결과물 전면에 게이트절연막(11)을 형성하는 공정, 및 상기 게이트절연막(11) 상부에 게이트전극(12)을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 박막트랜지스터 제조방법을 제공한다.

본 발명에 의하면, 박막트레지스터의 접합특성이 향상되어 동작특성이 안정된다.

Description

박막트랜지스터 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도는 본 발명의 일실시예에 의한 박막트랜지스터의 제조방법을 도시한 공정순서도,

제3도는 본 발명의 일실시예에 의한 박막트랜지스터의 제조방법을 도시한 공정순서도.

Claims (4)

1. 투명기판(100)상에 불투명 금속박막을 증착한 후 패터닝하여 소오스 및 드레인전극(10)을 형성하는 공정과, 상기 결과물상에 In원소가 도핑된 CdSe 박막을 증착한 후 패터닝하여 활성층(8)을 형성하는 공정, 상기 결과물상에 절연막(9)을 형성하는 공정, 상기 절연막(9)상에 포토레지스터 (PR)를 도포하는 공정, 상기 소오스 및 드레인전극(10)을 이용하여 후면노광을 행하여 상기 포토레지스트를 패터닝하는 공정, 상기 포토레지스트패턴(PR)을 미스크로 이용하여 상기 절연막(9)을 식각하는 공정, 산소분위기에서 열처리하는 공정, 상기 결과물 전면에 게이트절연막(11)을 형성하는 공정, 및 상기 게이트절연막(11) 상부에 게이트전극(12)을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 박막트랜지스터 제조방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 산소분위기에서 열처리하는 공정은 300℃상의 온도에서 30분 이상 행하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 게이트전극(12)을 형성하는 공정은 상기 게이트절연막(11)상에 포토레지스트(PR)를 도포한 후, 상기 소오스 및 드레인전극 형성용 마스크패턴을 이용하여 패터닝한 다음 도전물질을 증착하고 리프트오프방법에 의해 포토 레지스트패턴을 제거함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.
4. 제3항에 있어서, 상기 도전물질로 이루어진 게이트전극(12)을 형성한 후, 사진식각공정에 의해 잔류물질을 제거하는 공정이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.