KR970053902A - 공정시간 단축형 반도체 제조방법 - Google Patents

공정시간 단축형 반도체 제조방법 Download PDF

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    • H01L21/76216—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO introducing electrical inactive or active impurities in the local oxidation region, e.g. to alter LOCOS oxide growth characteristics or for additional isolation purpose introducing electrical active impurities in the local oxidation region for the sole purpose of creating channel stoppers
    • H01L21/76218—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO introducing electrical inactive or active impurities in the local oxidation region, e.g. to alter LOCOS oxide growth characteristics or for additional isolation purpose introducing electrical active impurities in the local oxidation region for the sole purpose of creating channel stoppers introducing both types of electrical active impurities in the local oxidation region for the sole purpose of creating channel stoppers, e.g. for isolation of complementary doped regions

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Abstract

본 발명은 공정기간 단축형 반도체 제조방법에 관한 것으로서, 특히 반도체 기판 상에 산화막 및 제1질화막을 차례로 적층하는 단계; 사진 식각공정에 의해 제1전도형의 웰을 형성하기 위한 영역상의 상기 질화막을 선택적으로 식각하고 제1전도형의 불순물을 이온주입하는 단계; 사진 식각공정의 레지스터를 제거하고 기판의 전면에 제2질화막을 도포하는 단계; 사진 식각공정에 의해 액티브 영역상의 제1 및 제2질화막을 남기고 나머지 제1 및 제2질화막을 제거하는 단계; 사진 공정에 의해 선택적으로 필드 이온주입을 수행하는 단계; 필드 이온 주입후에 기판을 고온에서 열처리하여 필드 산화막을 성장시킴과 동시에 웰확산을 수행하는 단계; 및 액티브 영역상에 남겨진 제1 및 제2질화막을 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에서는 공정을 단순화시켜서 공정기간을 단축시킬 수 있어서 생산성을 향상시킬 수 있다.

Description

공정기간 단축형 반도체 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제11도 내지 제14도는 본 발명에 의한 공정기가 단축형 반도체 제조방법의 공정 순서를 나타낸 도면.

Claims (5)

  1. 반도체 기판 상에 산화막 및 제1질화막을 차례로 적층하는 단계; 사진 식각공정에 의해 제1전도형의 웰을 형성하기 위한 영역상의 상기 질화막을 선택적으로 식각하고 제1전도형의 불순물을 이온주입하는 단계; 상기 사진 식각공정의 레지스터를 제거하고 기판의 전면에 제2질화막을 도포하는 단계; 사진 식각공정에 의해 액티브 영역상의 제1 및 제2질화막을 남기고 나머지 제1 및 제2질화막을 제거하는 단계; 사진 공정에 의해 선택적으로 필드 이온주입을 수행하는 단계; 상기 필드 이온 주입후에 기판을 고온에서 열처리하여 필드 산화막을 성장시킴과 동시에 웰확산을 수행하는 단계; 및 상기 액티브 영역상에 남겨진 제1 및 제2질화막을 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 공정기간 단축형 반도체 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 열처리는 1000℃ 이상인 것을 특징으로 하는 공정기간 단축형 반도체 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1산화막의 두께는 250Å인 것을 특징으로 하는 공정기간 단축형 반도체 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1산화막의 두께는 500Å인 것을 특징으로 하는 공정기간 단축형 반도체 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제2질화막의 두께는 1500Å인 것을 특징으로 하는 공정기간 단축형 반도체 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950068619A 1995-12-30 1995-12-30 공정시간 단축형 반도체 제조방법 KR970053902A (ko)

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