KR960042947A - 고집적 반도체 소자 및 그 국부 연결 방법 - Google Patents
고집적 반도체 소자 및 그 국부 연결 방법 Download PDFInfo
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Abstract
1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
고집적 반도체 소자 제조 방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
반도체 소자의 국부적인 연결에 있어서, 종래에는 폴리실리콘을 도전체로 이용하여 형성했으나, 폴리실리콘은 자체 저항이 실리사이드 보다 클 뿐만 아니라 공정 초기부터 추가적인 단차를 형성하고, 또한 추후 공정시 이온주입 불순물이나 기타 불순물에 의해 타입이 다른 확산 영역으로부터 카운터 도핑되어 오히려 접촉 저항이 커지는 문제점이 발생함.
3. 발명의 해결방법의 요지
제1티타늄 실리사이드-티타늄 질화막-실리콘-제2티타늄 실리사이드이 적층구조를 형성하여 게이트 전극과 확산 영역을 상호 연결하는 도전체로 이용하므로써 티타늄 질화막이 추후 공정시 발생하는 카운터 도핑을 방지하도록 함.
4. 발명의 중요한 용도
MOSFET의 국부 연결 도전체의 제조에 이용됨.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1D도는 본 발명의 고집적 반도체 소자의 국부 연결 도전체 및 국부 연결 방법에 따른 제조 공정도.
Claims (5)
- 고집적 반도체 소자의 국부 연결 방법에 있어서, 반도체 기판상에 지도핑 드레인 영역, 소스/드레인 영역, 게이트 전극, 측벽 스페이서가 형성된 전체 구조 상부에, 제1금속을 중착하는 단계와, 열처리 공정을 실시하여 상기 제1금속과 상기 게이트 전극 및 상기 소스/드레인 영역과의 접경 부분에 각각 제1금속 실리사이드를 형성시키는 단계와, 상기 제1금속을 제거하고, 전체 구조 상부에 티타늄 질화막을 소정의 두께로 증착하는 단계와, 그 위에 실리콘을 중착하는 단계와, 전체 구조 상부에 포토레지스트를 도포한 후, 상기 게이트 전극과 적어도 하나 이상의 소스/ 드레인 영역을 연결하기 위한 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 식각 베리어로 이용하여 상기 실리콘과 티타늄 질화막을 차례로 식각하는 단계와, 잔류 포토레지스트를 제거하고, 제2금속을 중착하는 단계와, 열처리 공정을 통하여 제2금속 실리사이드를 형성하는 단계 및, 상기 제2금속을 제거하는 단계를 포함해서 이루어진 고집적 반도체 소자의 국부 연결 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1금속과 제2금속은 티타늄인 것을 특징으로 하는 고집적 반도체 소자의 국부 연결 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 타타늄 질화막의 두께는 약 500A인 것을 특징으로 하는 고집적 반도체 소자의 국부 연결 방법.
- 게이트 전극과 불순물 이온의 확산 영역을 포함하는 저도핑 드레인 구조의 반도체 소자에 있어서, 상기 게이트 전극과 적어도 하나 이상의 확산 영역을 연결하기 위한 도전체로써, 제1금속 실리사이드-티타늄 질화막-실리콘-제2금속 실리사이드로 이루어진 적층 구조의 국부연결 도전체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 제4항에 있어서, 상기 제1금속과 제2금속은 티타늄인 것을 특징으로 하는 고집적 반도체 소자.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950011244A KR960042947A (ko) | 1995-05-09 | 1995-05-09 | 고집적 반도체 소자 및 그 국부 연결 방법 |
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| KR1019950011244A KR960042947A (ko) | 1995-05-09 | 1995-05-09 | 고집적 반도체 소자 및 그 국부 연결 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960042947A true KR960042947A (ko) | 1996-12-21 |
Family
ID=66523259
Family Applications (1)
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| KR1019950011244A KR960042947A (ko) | 1995-05-09 | 1995-05-09 | 고집적 반도체 소자 및 그 국부 연결 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960042947A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100451500B1 (ko) * | 1998-12-28 | 2004-12-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의제조방법 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4746219A (en) * | 1986-03-07 | 1988-05-24 | Texas Instruments Incorporated | Local interconnect |
| US4804663A (en) * | 1985-03-27 | 1989-02-14 | Janssen Pharmaceutica N.V. | 3-piperidinyl-substituted 1,2-benzisoxazoles and 1,2-benzisothiazoles |
| JPH03234062A (ja) * | 1990-02-09 | 1991-10-18 | Texas Instr Japan Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| US5387535A (en) * | 1992-06-15 | 1995-02-07 | Deutsche Itt Industries Gmbh | Method of fabricating semiconductor devices in CMOS technology with local interconnects |
-
1995
- 1995-05-09 KR KR1019950011244A patent/KR960042947A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4804663A (en) * | 1985-03-27 | 1989-02-14 | Janssen Pharmaceutica N.V. | 3-piperidinyl-substituted 1,2-benzisoxazoles and 1,2-benzisothiazoles |
| US4746219A (en) * | 1986-03-07 | 1988-05-24 | Texas Instruments Incorporated | Local interconnect |
| JPH03234062A (ja) * | 1990-02-09 | 1991-10-18 | Texas Instr Japan Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| US5387535A (en) * | 1992-06-15 | 1995-02-07 | Deutsche Itt Industries Gmbh | Method of fabricating semiconductor devices in CMOS technology with local interconnects |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100451500B1 (ko) * | 1998-12-28 | 2004-12-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의제조방법 |
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