KR930015096A - 박막 트랜지스터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 종래의 방법에서 SiOx막의 증착과 에칭공정으로 공정이 복잡하고 생산비 증가와 수율 및 소자의 특성이 저하되는 문제점을 해결하기 위한 것이다.
이와같이 본 발명의 제조방법은 절연기관에 게이트 전극을 형성하고 연속적으로 절연층과 채널층, 소정 도전형의 비정실리콘층, 감광박을 차례로 증착하는 공정과, 상기 게이트 전극을 마스크로 하여 배면 노광으로 감광막을 패터닝하여 전면에 금속전극을 증착하는 공정과, 상기 감광막과 감광막위의 금속 전극을 제거하여 소오스/드레인 전극을 형성하고 소오스/드레인 전극을 마스크로 하여 상기 소정 도전형의 비정질실리콘층을 제거하는 공정으로 이루어진다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 박막트랜지스터의 공정단면도.
Claims (1)
- 절연기판에 게이트 전극을 형성하고 연속적으로 절연층과 채널층 소정 도전형의 비정질실리콘층, 감광막을 차례로 증착하는 공정과, 상기 게이트 전극을 마스크로 하여 배면 노광으로 감광막을 패터닝하여 전면에 금속전극을 증착하는 공정과, 상기 감광막과 감광막위의 금속전극을 제거하여 소오스/드레인 전극을 형성하고 소오스/드레인 전극을 마스크로 하여 상기 소정 도전형의 비정질실리콘층을 제거하는 공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910025514A KR930015096A (ko) | 1991-12-30 | 1991-12-30 | 박막 트랜지스터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910025514A KR930015096A (ko) | 1991-12-30 | 1991-12-30 | 박막 트랜지스터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930015096A true KR930015096A (ko) | 1993-07-23 |
Family
ID=67346054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910025514A KR930015096A (ko) | 1991-12-30 | 1991-12-30 | 박막 트랜지스터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR930015096A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100436009B1 (ko) * | 1996-12-31 | 2004-08-04 | 삼성전자주식회사 | 박막트랜지스터기판의제조방법 |
-
1991
- 1991-12-30 KR KR1019910025514A patent/KR930015096A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100436009B1 (ko) * | 1996-12-31 | 2004-08-04 | 삼성전자주식회사 | 박막트랜지스터기판의제조방법 |
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