KR970030892A - 박막트랜지스터의 구조 및 제조방법 - Google Patents

박막트랜지스터의 구조 및 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 박막트랜지스터에 관한 것으로, 특히 공정을 단순화하고 소오스/드레인간의 전류 패스(path)를 짧게하여 전하이동을 빠르게 하는 박막트랜지스터의 구조 및 제조방법에 관한 것이다.
이와같은 본 발명의 박막트랜지스터는 기판과, 상기 기판위에 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극을 포함한 기판위에 형성되는 게이트 절연막과, 상기 게이트 전극 양측의 상기 게이트 절연막 위에 차례로 형성되는 고농도 n형 반도체층들 및 금속층돌과, 상기 게이트 전극 상측의 게이트 절연막과 양측의 금속층 상에 걸쳐 형성되는 반도체층으로 된다.

Description

박막트랜지스터의 구조 및 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4(a)도∼제4(g)도는 본 발명 제1실시예의 박막트랜지스터 공정 단면도.
제5(a)도∼제5(e)도는 본 발명 제2실시예의 박막트랜지스터 공정 단면도.

Claims (7)

  1. 기판; 상기 기판위에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극을 포함한 기판위에 형성되는 게이트 절연막; 상기 게이트 전극 양측의 상기 게이트 절연막 위에 차례로 형성되는 고농도 n형 반도체층들 및 금속층들; 그리고 상기 게이트 전극 상측의 게이트 절연막과 양측의 금속층 상에 걸쳐 형성되는 반도체층을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 구조.
  2. 제1항에 있어서, 게이트 전극 양측의 게이트 절연막위에 차례로 형성된 고농도 n형 반도체의 거리보다 금속층간의 거리가 더 길게 형성됨을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 구조.
  3. 기판을 준비하는 단계; 상기 기판상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극을 포함한 상기 투명 기판위에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극 양측의 상기 게이트 절연막위에 고농도 n형 반도체층과 금속층을 차례로 형성하는 단계; 그리고 상기 게이트 전극 상측의 상기 게이트 절연막과 상기 금속층에 걸쳐 반도체층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 고농도 n형 반도체층과 금속층을 형성하는 방법은 게이트 절연막 전면에 고농도 n형 반도체층과 금속층을 차례로 증착하는 단계; 소오스/드레인 영역을 정의하여 상기 고농도 n형 반도체층과 금속층을 선택적으로 경사에칭하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 경사에칭 방법은 먼저 금속층을 습식식각 공정으로 과도에칭하고, 다음에 고농도 n형 반도체층과 금속층을 건식식각함을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.
  6. 기판을 준비하는 단계; 상기 기판위에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극을 포함한 기판 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극 상측의 게이트 절연막위에 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴을 포함한 게이트 절연막 전면에 n+반도체층, 금속층을 차례로 증착하는 단계; 리프트 오프 공정으로 상기 감광막 패턴과 감광막 패턴위에 있는 상기 금속층 및 n+반도체층을 선택적으로 제거하는 단계; 그리고 상기 채널영역의 게이트 절연막과 채널영역 양측의 금속층에 걸쳐 활성층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 감광막 패턴은 게이트 전극을 마스크로 이용한 배면 노광 및 현상 공정으로 형성함을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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