KR940016910A - 스탭 커버리지를 개선한 박막트랜지스터의 제조방법 - Google Patents

스탭 커버리지를 개선한 박막트랜지스터의 제조방법 Download PDF

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KR940016910A
KR940016910A KR1019920025693A KR920025693A KR940016910A KR 940016910 A KR940016910 A KR 940016910A KR 1019920025693 A KR1019920025693 A KR 1019920025693A KR 920025693 A KR920025693 A KR 920025693A KR 940016910 A KR940016910 A KR 940016910A
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thin film
film transistor
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KR1019920025693A
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김진하
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이헌조
주식회사 금성사
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Abstract

본 발명은 박막트랜지스터의 제조에 있어서 크로스오버부분의 평탄화 공정에 의한 게이트 단차를 없애 스탭커버리지를 개선하고자한 스탭커버리지를 개선한 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 이러한 본 발명의 목적은 유리기판(1)위에 게이트 전극(2)을 형상화하는 제 1 공정과, 상기 제 1 공정후 1차 절연층(3)을 증착한 후 감광액(10)을 도포하여 셀프얼라인시키는 제 2 공정과, 상기 제 2 공정 후 2차 절연층(3b)을 증착한 후 상기 감광액(10)을 스트립하여 기판전체를 평탄화하는 제 3 공정과, 상기 제 3 공정후 반도체층(4), 불순물주입 반도체층(5)을 순차로 연속증착하여 패턴을 형성하고 그위에 화소전극(6)을 증착하여 패턴을 형성시키는 제 4 공정과, 상기 제 4 공정후 소스전극(7) 및 드레인전극(8)을 형성시킨 후 그위에 보호절연막층(9)을 형성시키는 제5공정을 이룸으로써 달성된다.

Description

스탭 커버리지를 개선한 박막트랜지스터의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 본 발명 스탭커버리지를 개선한 박막트랜지스터의 제조공정도.

Claims (1)

  1. 유리기판(1)위에 게이트 전극(2)을 형상화하는 제 1 공정과, 상기 제 1 공정후 1차 절연층(3)을 증착한 후 감광액(10)을 도포하여 셀프얼라인 시키는 제 2 공정과, 상기 제 2 공정 후 2차 절연층(3b)을 증착한 후 상기 감광액(10)을 스트립하여 기판전체를 평탄화하는 제 3 공정과, 상기 제 3 공정후 반도체층(4), 불순물주입 반도체층(5)을 순차로 연속증착하여 패턴을 형성하고 그위에 화소전극(6)을 증착하여 패턴을 형성시키는 제 4 공정과, 상기 제 4 공정후 소스전극(7) 및 드레인전극(8)을 형성시킨 후 그위에 보호절연층(9)을 형성시키는 제 5 공정을 이루어진 스탭커버리지를 개선한 박막트랜지스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920025693A 1992-12-28 1992-12-28 스탭 커버리지를 개선한 박막트랜지스터의 제조방법 KR940016910A (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000003114A (ko) * 1998-06-25 2000-01-15 김영환 박막 트랜지스터의 제조방법
KR20020045461A (ko) * 2000-12-11 2002-06-19 이석천 대역 필터를 이용한 액정 표시장치

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