KR940016746A - 크로스오버부분 단선 방지용 박막트랜지스터 제조방법 - Google Patents
크로스오버부분 단선 방지용 박막트랜지스터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 스탭커버리지(Step-Coverage)에 의한 소스버스라인의 단선을 방지하도록 크로스오버부분 단선 방지용 TFT 제조방법에 관한 것으로서, 이러한 본 발명의 목적은 유리기판위에 게이트전극(1) 및 게이트 더미 패턴(2)을 형성시키는 제 1 공정과, 상기 제 1 공정 후 그위에 게이트 절연층(3)과 비정질 반도체층(4)을 연속하여 순차 적층하는 제 2 공정과, 상기 제 2 공정후 그위에 화소 더미 패턴(5)과 소스전극(6)을 적층시키는 제 3 공정을 이룸으로써 달성된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 종래 박막트랜지스터의 평면도, 제 2 도는 제 1 도의 A-A'선 단면도, 제 3 도는 본 발명 크로스오버부분 단선 방지용 박막트랜지스터 평면도, 제 4 도는 제 3 도의 B-B'선 단면도, 제 5 도는 제 3 도의 제조공정도.
Claims (3)
- 유리기판위에 게이트전극(1) 및 게이트 더미 패턴(2)을 형성시키는 제 1 공정과, 상기 제 1 공정 후 그위에 게이트 절연층(3)과 비정질 반도체층(4)을 연속하여 순차적층하는 제 2 공정과, 상기 제 2 공정후 그위에 화소 더미 패턴(5)과 소스전극(6)을 적층시키는 제 3 공정을 포함하여 된 것을 특징으로 한 크로스오버부분 단선 방지용 박막트랜지스터 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 비정질 반도체층(4)은 상기 게이트 더미 패턴(2)의 끝부분과 인접하게 적층시키는 것을 특징으로 한 크로스오버부분 단선 방지용 박막 트랜지스터 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 화소전극(6)은 크로스오버부분에 상기 화소 더미 패턴(5)의 끝부분이 게이트라인의 끝부분과 인접하도록 적층시키는 것을 특징으로 한 크로스오버부분 단선방지용 박막 트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920024955A KR940016746A (ko) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 크로스오버부분 단선 방지용 박막트랜지스터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920024955A KR940016746A (ko) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 크로스오버부분 단선 방지용 박막트랜지스터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940016746A true KR940016746A (ko) | 1994-07-25 |
Family
ID=67214971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920024955A KR940016746A (ko) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 크로스오버부분 단선 방지용 박막트랜지스터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940016746A (ko) |
-
1992
- 1992-12-21 KR KR1019920024955A patent/KR940016746A/ko not_active Application Discontinuation
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