KR930001494A - 반도체 소자의 커패시터 제조방법 - Google Patents
반도체 소자의 커패시터 제조방법 Download PDFInfo
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 커패시터 공정 단면도.
제2도는 본 발명의 커패시터 공정 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 기판 2 : 필드산화막
3 : 게이트 산화막 4,8,10 : 폴리실리콘
5 : 산화막 6 : CVD 산화막
7 : 고융점 금속 9 : 커패시터 유전체
Claims (1)
- 기판(1)위에 스토리지 노드 폴리실리콘(8)과 커패시터 유전체(9) 및 플레이트 폴리실리콘(10)을 적층하여서 이루어지는 커패시터 제조방법에 있어서, 상기 스토리지 노드 폴리실리콘(8)을 증착하기 전에 게이트가 형성된 기판(1)위에 산화막(6)을 증착하여 식각하므로 매몰 콘택을 형성한 상태에서 고융점 금속(7)을 증착하고 패터닝함을 특징으로 하는 반도체 소자의 커패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930001494A true KR930001494A (ko) | 1993-01-16 |
| KR940003594B1 KR940003594B1 (ko) | 1994-04-25 |
Family
ID=19315809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
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1991
- 1991-06-14 KR KR1019910009866A patent/KR940003594B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940003594B1 (ko) | 1994-04-25 |
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