KR970077717A - 반도체장치의 게이트 형성방법 - Google Patents
반도체장치의 게이트 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970077717A KR970077717A KR1019960018242A KR19960018242A KR970077717A KR 970077717 A KR970077717 A KR 970077717A KR 1019960018242 A KR1019960018242 A KR 1019960018242A KR 19960018242 A KR19960018242 A KR 19960018242A KR 970077717 A KR970077717 A KR 970077717A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- high temperature
- temperature polysilicon
- gate insulating
- insulating film
- semiconductor device
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
폴리사이드 구조의 반도체장치의 게이트 형성방법에 대해 기재되어 있다. 이는, 반도체기판 상에 게이트절연막을 형성하는 단계, 게이트절연막 상에 고온 폴리실리콘을 증착하는 단계, 고온 폴리실리콘막 및 게이트절연막을 패터닝하는 단계 및 패터닝된 고온 폴리실리콘막의 표면에 실리사이드를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 고온 폴리실리콘을 사용함으로써 표면이 균일하여 종래의 포커싱 및 식각시 발생하던 문제점들을 해결하여, 게이트 및 트랜지스터의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2B도 및 제2C도는 본 발명에 의한 반도체장치의 게이트 형성방법을 설명하기 위하여 도시된 단면도들이다.
Claims (2)
- 반도체기판 상에 게이트절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트절연막 상에 고온 폴리실리콘을 증착하는 단계; 상기 고온 폴리실리콘막 및 게이트절연막을 패터닝하는 단계; 및 상기 패터닝된 고온 폴리실리콘막의 표면에 실리사이드를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 게이트 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 고온 폴리실리콘은 매엽식 설비에서 560∼640℃의 온도에서 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 게이트 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960018242A KR970077717A (ko) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 반도체장치의 게이트 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960018242A KR970077717A (ko) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 반도체장치의 게이트 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970077717A true KR970077717A (ko) | 1997-12-12 |
Family
ID=66284007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960018242A KR970077717A (ko) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 반도체장치의 게이트 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970077717A (ko) |
-
1996
- 1996-05-28 KR KR1019960018242A patent/KR970077717A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR970003718A (ko) | 모스 전계 효과 트랜지스터 형성 방법 | |
| KR950026032A (ko) | 다결정실리콘 박막트랜지스터의 제조방법 | |
| KR970077717A (ko) | 반도체장치의 게이트 형성방법 | |
| KR940016887A (ko) | 반도체 소자의 미세 게이트전극 형성방법 | |
| KR950004584A (ko) | 오프셋 구조의 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 제조방법 | |
| KR970003479A (ko) | 반도체 장치의 매복접촉 형성방법 | |
| KR970054506A (ko) | 레이저를 이용한 완전 자기 정합형 박막 트랜지스터의 제조 방법 | |
| KR950004548A (ko) | 반도체소자 제조방법 | |
| KR960039215A (ko) | 박막트랜지스터 오믹콘택형성방법 | |
| KR920015424A (ko) | 반도체 제조 방법 | |
| KR970013421A (ko) | 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR910005441A (ko) | 실리사이드를 사용한 매설 접촉 형성방법 | |
| KR970018718A (ko) | 오프셋 길이를 증가시킨 박막 트랜지스터의 제조방법 | |
| KR950004557A (ko) | 반도체 소자의 공통 게이트 형성방법 | |
| KR970054425A (ko) | 반도체 소자의 트랜지스터 형성방법 | |
| KR920013720A (ko) | 폴리마이드를 이용한 반도체 메모리소자의 커패시터 제조방법 | |
| KR920022492A (ko) | 반도체 소자의 폴리사이드 라인 형성 방법 | |
| KR920015531A (ko) | 반도체 메모리소자의 커패시터 제조방법 | |
| KR920022507A (ko) | 반도체 메모리 소자의 제조방법 | |
| KR970004092A (ko) | 평탄화된 박막 트랜지스터의 제조 방법 | |
| KR970052187A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법 | |
| KR940010373A (ko) | 반도체 장치 제조방법 | |
| KR930001494A (ko) | 반도체 소자의 커패시터 제조방법 | |
| KR950021061A (ko) | 실리사이드를 이용한 쌍극자 트랜지스터의 전극제조방법 | |
| KR970018072A (ko) | 미세 접촉창을 형성할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |