KR970052187A - 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법 - Google Patents

반도체 소자의 콘택홀 형성 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 좁은 스페이서를 형성하고 있는 게이트 전극 사이에 도체에 손상 없이 콘택 홀을 형성하므로서 공정 과정 및 시간을 감소시키고, 도체의 손상 및 공정의 마진을 증가시키는 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법이 개시된다.

Description

반도체 소자의 콘택홀 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A 내지 2E도는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 방법을 설명하기 위한 단면도.

Claims (3)

  1. 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법에 있어서, 실리콘 기판상에 상기 폴리 실리콘층의 측벽에 산화막 스페이서가 형성된 두개의 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 전체 구조 상부에 열 공정에 의해 열 산화막을 형성하는 단계와, 상기 전체 구조 상부에 IPO막 및 BPSG막을 증측하는 단계와, 상기 전체 구조 상부에 포토 레지스트를 도포하고, 포토 리소그라피 공정으로 포토 레지스트를 패터닝 하는 단계와, 상기 포토 레지스트를 마스크로 이용하여 두개의 게이트 전극 사이에 콘택홀을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 폴리 실리콘층이 2000 내지 5000Å의 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 열 산화막은 200 내지 5000Å의 두께로 형성되되, 상기 게이트 전극 상부에 형성된 열 산화막의 두께(A)는 상기 실리콘 기판상에 형성된 열 산화막의 두께(B)보다 두껍게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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