KR920013720A - 폴리마이드를 이용한 반도체 메모리소자의 커패시터 제조방법 - Google Patents
폴리마이드를 이용한 반도체 메모리소자의 커패시터 제조방법 Download PDFInfo
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- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
- H01L28/82—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 (a)-(d)는 본 발명의 1실시예에 따른 폴리마이드(Polymide)를 이용한 반도체 메모리소자의 커패시터 제조공정도이다.
Claims (1)
- 기판상에 필드산화막, 게이트, 소오스 및 드레인영역을 통상의 공정으로 형성하는 공정과, 상기 소오스 및 드레인영역상에 제1노드폴리를 형성한 후 상기 제1노드폴리의 범위로 제한한 폴리마이드를 형성하고, 상기 게이트 상부에 걸친 제2노드폴리를 형성한 후 상기 폴리마이드보다 좁은 범위로 포토레지스트를 패터닝하는 공정과, 상기 제2노드폴리를 부분 식각하고 남아있는 폴리마이드를 스트립한 후 그위에 유전체막, 플레이트 폴리를 도포하는 공정으로 이루어진 플리마이드를 이용한 반도체 메모리소자의 커패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019900021367A KR0166792B1 (ko) | 1990-12-21 | 1990-12-21 | 폴리마이드를 이용한 반도체 메모리소자의 커패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019900021367A KR0166792B1 (ko) | 1990-12-21 | 1990-12-21 | 폴리마이드를 이용한 반도체 메모리소자의 커패시터 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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KR920013720A true KR920013720A (ko) | 1992-07-29 |
KR0166792B1 KR0166792B1 (ko) | 1999-01-15 |
Family
ID=19308115
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019900021367A KR0166792B1 (ko) | 1990-12-21 | 1990-12-21 | 폴리마이드를 이용한 반도체 메모리소자의 커패시터 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR0166792B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101988933B1 (ko) | 2018-12-26 | 2019-06-13 | (주)케이엠테크 | 맨홀 사다리용 기본 프레임 제조장치 |
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1990
- 1990-12-21 KR KR1019900021367A patent/KR0166792B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
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KR0166792B1 (ko) | 1999-01-15 |
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