KR920013720A - 폴리마이드를 이용한 반도체 메모리소자의 커패시터 제조방법 - Google Patents

폴리마이드를 이용한 반도체 메모리소자의 커패시터 제조방법 Download PDF

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KR920013720A
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강찬호
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문정환
금성일렉트론 주식회사
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40Capacitors
    • H01L28/60Electrodes
    • H01L28/82Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation

Abstract

내용 없음

Description

폴리마이드를 이용한 반도체 메모리소자의 커패시터 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 (a)-(d)는 본 발명의 1실시예에 따른 폴리마이드(Polymide)를 이용한 반도체 메모리소자의 커패시터 제조공정도이다.

Claims (1)

  1. 기판상에 필드산화막, 게이트, 소오스 및 드레인영역을 통상의 공정으로 형성하는 공정과, 상기 소오스 및 드레인영역상에 제1노드폴리를 형성한 후 상기 제1노드폴리의 범위로 제한한 폴리마이드를 형성하고, 상기 게이트 상부에 걸친 제2노드폴리를 형성한 후 상기 폴리마이드보다 좁은 범위로 포토레지스트를 패터닝하는 공정과, 상기 제2노드폴리를 부분 식각하고 남아있는 폴리마이드를 스트립한 후 그위에 유전체막, 플레이트 폴리를 도포하는 공정으로 이루어진 플리마이드를 이용한 반도체 메모리소자의 커패시터 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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