KR930001458A - 반도체 메모리 소자의 제조방법 - Google Patents
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- H01L28/86—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation having horizontal extensions
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 (a)-(f)는 본 발명의 1실시예에 따른 반도체 메모리 소자의 제조 공정도이다.
Claims (1)
- 반도체 기판상의 소정 부분에 게이트, 소오스 및 드레인, 비트라인을 차례로 형성한 후 전면에 노드 폴리실리콘과 산화막을 교대로 다수회 도포하고 맨위에는 노드 폴리실리콘을 도포하는 공정과, 커패시터 영역으로 제한해서 상기 노드 폴리실리콘과 상기 산화막을 남기도록 식각하고 그 측면에 폴리실리콘으로 된 측벽을 형성하는 공정과, 배리드 콘택 영역의 범의를 제한해서 상기 배리드 콘택상의 첫번째 노드 폴리실리콘은 제외하고 나머지 노드폴리실리콘과 상기 산화막을 제거한 후 남아있는 상기 노드폴리실리콘 사이의 상기 산화막을 제거하는 공정과, 상기 노드폴리실리콘 상에 유전체막, 플레이트 폴리실리콘을 도포하는 고정으로 이루어진 반도체 메모리 소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910009899A KR940007388B1 (ko) | 1991-06-15 | 1991-06-15 | 반도체 메모리 소자의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910009899A KR940007388B1 (ko) | 1991-06-15 | 1991-06-15 | 반도체 메모리 소자의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930001458A true KR930001458A (ko) | 1993-01-16 |
| KR940007388B1 KR940007388B1 (ko) | 1994-08-16 |
Family
ID=19315838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910009899A KR940007388B1 (ko) | 1991-06-15 | 1991-06-15 | 반도체 메모리 소자의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940007388B1 (ko) |
-
1991
- 1991-06-15 KR KR1019910009899A patent/KR940007388B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940007388B1 (ko) | 1994-08-16 |
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