KR920017248A - 반도체 메모리 소자의 커패시터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 (a)-(e)는 본 발명의 1실시예에 따른 제조공정도이다.
Claims (2)
- 반도체기판상에 필드산화막, 게이트, 소오스 및 드레인영역, 게이트측벽을 형성한 후 전면에 제1산화막, 질화막, 제2산화막을 차례로 도포하는 공정과, 배리드콘택영역의 상기 제2산화막을 제거하는 공정과, 상기 배리드콘택영역 이외의 상기 질화막이 소정의 길이만큼 침투되어 식각될 정도로 상기 질화막을 습식식각하는 공정과, 상기 배리드콘택영역의 상기 제1산화막을 제거하고 폴리실리콘을 도포하여 스토리지노드를 형성한 후 통상의 방법으로 커패시터를 제조하는 공정으로 이루어진 반도체메모리소자의 커패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 질화막이 침투 식각되는 소정의 길이는 식각시간에 의하여 조절됨을 특징으로 하는 반도체메모리소자의 커패시터 제조방법.※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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