KR920022516A - 반도체 메모리 소자의 커패 시터 형성 방법 - Google Patents
반도체 메모리 소자의 커패 시터 형성 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR920022516A KR920022516A KR1019910007877A KR910007877A KR920022516A KR 920022516 A KR920022516 A KR 920022516A KR 1019910007877 A KR1019910007877 A KR 1019910007877A KR 910007877 A KR910007877 A KR 910007877A KR 920022516 A KR920022516 A KR 920022516A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- oxide film
- gate
- memory device
- capacitor formation
- cap
- Prior art date
Links
Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도(a)-(e)는 본 발명에 따른 반도체 메모리 소자의 커패시터 제조 공정도이다.
Claims (2)
- 필드산화막으로 소자격리된 반도체 기판상에 게이트 폴리실리콘, 캡산화막을 차례로 도포하는 공정과, 게이트 형성영역의 상기 캡산화막이 일측판 돌출된 형상이 되도록 식각하는 공정과, 상기 게이트 풀리실리콘과 상기 캡산화막을 게이트 형성영역으로 제한해서 남기는 공정과, 진면에 산화막을 도포하고 커패시터 형성을 위한 배리드 곤텍을 내는 공정과, 그위에 상기 돌출된 형상의 캡산화막까지 연장된 커패시터를 형성하는 공정으로 이루어진 반도체 메모리 소자의 커패시터 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 돌출된 형성의 캡산화막은 습식 식각으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자의 커패시터 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910007877A KR920022516A (ko) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | 반도체 메모리 소자의 커패 시터 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910007877A KR920022516A (ko) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | 반도체 메모리 소자의 커패 시터 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920022516A true KR920022516A (ko) | 1992-12-19 |
Family
ID=67432786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910007877A KR920022516A (ko) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | 반도체 메모리 소자의 커패 시터 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920022516A (ko) |
-
1991
- 1991-05-15 KR KR1019910007877A patent/KR920022516A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR920017248A (ko) | 반도체 메모리 소자의 커패시터 제조방법 | |
| KR890003000A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR920022516A (ko) | 반도체 메모리 소자의 커패 시터 형성 방법 | |
| KR920005335A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR940016887A (ko) | 반도체 소자의 미세 게이트전극 형성방법 | |
| KR970077665A (ko) | 커패시터 제조 방법 | |
| KR930001396A (ko) | 금속 배선 제조 방법 | |
| KR920015531A (ko) | 반도체 메모리소자의 커패시터 제조방법 | |
| KR920022507A (ko) | 반도체 메모리 소자의 제조방법 | |
| KR970052255A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 매립 방법 | |
| KR930006926A (ko) | 반도체 메모리 소자의 캐피시터 제조방법 | |
| KR930001458A (ko) | 반도체 메모리 소자의 제조방법 | |
| KR930003391A (ko) | 반도체 메모리 소자의 커패시터 제조 방법 | |
| KR930001424A (ko) | 반도체 dram 소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR950030332A (ko) | 캐패시터 제조방법 | |
| KR920020739A (ko) | 메모리 셀 제조방법 | |
| KR920020601A (ko) | 반도체장치의 커패시터 제조 방법 | |
| KR920020674A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| KR920017282A (ko) | 반도체 메모리소자의 커패시터 제조방법 | |
| KR920015572A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR960043219A (ko) | 사진공정을 최소화한 반도체 메모리장치의 그 제조방법 | |
| KR930001353A (ko) | 바이모스 제조방법 | |
| KR920022552A (ko) | 라운드 트랜치 게이트를 갖는 반도체메모리소자의 제조방법 | |
| KR950034730A (ko) | 반도체 메모리 장치에서의 캐패시터 제조 방법 | |
| KR970052361A (ko) | 반도체장치의 콘택형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |