KR930003391A - 반도체 메모리 소자의 커패시터 제조 방법 - Google Patents
반도체 메모리 소자의 커패시터 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR930003391A KR930003391A KR1019910012063A KR910012063A KR930003391A KR 930003391 A KR930003391 A KR 930003391A KR 1019910012063 A KR1019910012063 A KR 1019910012063A KR 910012063 A KR910012063 A KR 910012063A KR 930003391 A KR930003391 A KR 930003391A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- film
- applying
- memory device
- semiconductor memory
- psg
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도(a)(f)는 본 발명의 1실시예에 따른 반도체 메모리 소자의 커패시터 제조 공정도이다.
Claims (1)
- 커패시터 형성을 위해 게이트 및 비트라인이 형성된 반도체 기판 전면에 질화막을 도포하고 그위에 PSG막을 도포하는 공정과, 상기 PSG막을 스토리지 노드영역으로 제한해서 남기고 전면 BPSG막을 도포한 다음 리플로우시키는 공정과, 에치백으로 소정 두께의 상기 BPSG막을 남기고 상기 PSG막을 제거하고 노출된 질화막을 제거하는 공정과, 전면에 노도폴리실리콘을 도포하고 그위에 CVD산화막을 도포하고 에치백으로 일정높이로 유지되는 노드폴리실리콘이 형성되도록 상기 CVD산화막과 상기 BPSG막을 제거한후 그위에 유전체막, 플레이트 폴리실리콘을 차례로 도포하는 공정으로 이루어진 반도체 메모리 소자의 커패시터 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019910012063A KR940004604B1 (ko) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 반도체 메모리 소자의 커패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019910012063A KR940004604B1 (ko) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 반도체 메모리 소자의 커패시터 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR930003391A true KR930003391A (ko) | 1993-02-24 |
KR940004604B1 KR940004604B1 (ko) | 1994-05-25 |
Family
ID=19317309
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019910012063A KR940004604B1 (ko) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 반도체 메모리 소자의 커패시터 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR940004604B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6456474B2 (en) | 1998-04-07 | 2002-09-24 | Nec Corporation | Semiconductor integrated circuit |
-
1991
- 1991-07-15 KR KR1019910012063A patent/KR940004604B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6456474B2 (en) | 1998-04-07 | 2002-09-24 | Nec Corporation | Semiconductor integrated circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR940004604B1 (ko) | 1994-05-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR930003380A (ko) | 반도체기억장치의 커패시터 및 그 제조방법 | |
KR920017248A (ko) | 반도체 메모리 소자의 커패시터 제조방법 | |
EP0398569A3 (en) | Dynamic random access memory device | |
KR960032740A (ko) | 반도체 메모리소자의 커패시터 구조 및 그 제조방법 | |
KR930003391A (ko) | 반도체 메모리 소자의 커패시터 제조 방법 | |
KR890008986A (ko) | 측벽막을 갖는 반도체 장치와 그의 제조방법 | |
KR970024207A (ko) | 디램 반도체소자의 제조방법(method for fabricating DRAM semiconductor device) | |
KR920022507A (ko) | 반도체 메모리 소자의 제조방법 | |
JPS57114272A (en) | Semiconductor memory | |
KR940008097A (ko) | 캐패시터 용량을 증대한 반도체 메모리 셀 제조방법 | |
KR920017282A (ko) | 반도체 메모리소자의 커패시터 제조방법 | |
KR920022516A (ko) | 반도체 메모리 소자의 커패 시터 형성 방법 | |
KR920015572A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
KR930003390A (ko) | 살리사이드를 이용한 디램 제조 방법 | |
KR920020601A (ko) | 반도체장치의 커패시터 제조 방법 | |
KR920015531A (ko) | 반도체 메모리소자의 커패시터 제조방법 | |
KR920020739A (ko) | 메모리 셀 제조방법 | |
KR900017149A (ko) | 고집적 적층형 디램 셀의 제조방법 | |
KR920020604A (ko) | 반도체 장치의 커패시터 제조방법 | |
KR930003350A (ko) | 반도체 dram 소자용 캐패시터 제조방법 | |
KR930011253A (ko) | 랙(Rack) 구조의 스토리지 노드를 갖는 DRAM셀 제조방법 | |
KR960009176A (ko) | 반도체 메모리장치의 제조방법 | |
KR970052361A (ko) | 반도체장치의 콘택형성방법 | |
KR930001432A (ko) | 디램셀의 구조 및 제조방법 | |
KR960032746A (ko) | 비트라인 상부에 형성된 커패시터를 갖는 반도체 메모리장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
G160 | Decision to publish patent application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20030417 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |