KR930003391A - 반도체 메모리 소자의 커패시터 제조 방법 - Google Patents

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KR930003391A KR1019910012063A KR910012063A KR930003391A KR 930003391 A KR930003391 A KR 930003391A KR 1019910012063 A KR1019910012063 A KR 1019910012063A KR 910012063 A KR910012063 A KR 910012063A KR 930003391 A KR930003391 A KR 930003391A
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정문모
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문정환
금성일렉트론 주식회사
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10BELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00Dynamic random access memory [DRAM] devices

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  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

반도체 메모리 소자의 커패시터 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도(a)(f)는 본 발명의 1실시예에 따른 반도체 메모리 소자의 커패시터 제조 공정도이다.

Claims (1)

  1. 커패시터 형성을 위해 게이트 및 비트라인이 형성된 반도체 기판 전면에 질화막을 도포하고 그위에 PSG막을 도포하는 공정과, 상기 PSG막을 스토리지 노드영역으로 제한해서 남기고 전면 BPSG막을 도포한 다음 리플로우시키는 공정과, 에치백으로 소정 두께의 상기 BPSG막을 남기고 상기 PSG막을 제거하고 노출된 질화막을 제거하는 공정과, 전면에 노도폴리실리콘을 도포하고 그위에 CVD산화막을 도포하고 에치백으로 일정높이로 유지되는 노드폴리실리콘이 형성되도록 상기 CVD산화막과 상기 BPSG막을 제거한후 그위에 유전체막, 플레이트 폴리실리콘을 차례로 도포하는 공정으로 이루어진 반도체 메모리 소자의 커패시터 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910012063A 1991-07-15 1991-07-15 반도체 메모리 소자의 커패시터 제조방법 KR940004604B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6456474B2 (en) 1998-04-07 2002-09-24 Nec Corporation Semiconductor integrated circuit

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