KR960032746A - 비트라인 상부에 형성된 커패시터를 갖는 반도체 메모리장치 - Google Patents
비트라인 상부에 형성된 커패시터를 갖는 반도체 메모리장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960032746A KR960032746A KR1019950003896A KR19950003896A KR960032746A KR 960032746 A KR960032746 A KR 960032746A KR 1019950003896 A KR1019950003896 A KR 1019950003896A KR 19950003896 A KR19950003896 A KR 19950003896A KR 960032746 A KR960032746 A KR 960032746A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- bit line
- semiconductor memory
- memory device
- capacitor
- capacitor formed
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/31—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells having a storage electrode stacked over the transistor
- H10B12/315—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells having a storage electrode stacked over the transistor with the capacitor higher than a bit line
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
COB 구조의 커패시터를 갖는 반도체 메모리장치에 대해 기재되어 있다. 이는 스토리지전극, 유전체막 및 플레이트전극으로 구성된 커패시터가 비트라인 상부에 형성되어 있는 반도체 메모리장치에 있어서, 상기 커패시터와비트라인 사이에 위치하는 식각스토퍼층은(SiON)으로 형성되어 잇는 것을 특징으로 한다. 따라서, 식각스토퍼층 하부에 형성되어 있는 물질층이 손상되지 않으며, 비트라인의 산화를 방지할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 방법에 의해 제조된 비트라인 상부에 형성된 커패시터를 갖는 반도체 메모리장치의 단면도이다.
제3A도 내지 제3F도는 본 발명의 방법에 의한 비트라인 상부에 형성된 커패시터를 갖는 반도체 메모리 장치이다.
Claims (2)
- 스토리지전극, 유전체막 및 플레이트전극으로 구성된 커패시터가 비트라인 상부에 형성되어 있는 반도체 메모리장치에 있어서, 상기 커패시터와 비트라인 사이에 위치하는 식각스토퍼층은 (SiON)으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 비트라인 상에 형성된 커패시터를 갖는 반도체 메모리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 스토리지전극과 식각스토퍼층은 상기 유전체막 및 플레이트전극에 의해 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 비트라인 상에 형성된 커패시터를 갖는 반도체 메모리장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950003896A KR960032746A (ko) | 1995-02-27 | 1995-02-27 | 비트라인 상부에 형성된 커패시터를 갖는 반도체 메모리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950003896A KR960032746A (ko) | 1995-02-27 | 1995-02-27 | 비트라인 상부에 형성된 커패시터를 갖는 반도체 메모리장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960032746A true KR960032746A (ko) | 1996-09-17 |
Family
ID=66548990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950003896A KR960032746A (ko) | 1995-02-27 | 1995-02-27 | 비트라인 상부에 형성된 커패시터를 갖는 반도체 메모리장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960032746A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8071977B2 (en) | 2009-02-10 | 2011-12-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof |
-
1995
- 1995-02-27 KR KR1019950003896A patent/KR960032746A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8071977B2 (en) | 2009-02-10 | 2011-12-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof |
| US8470638B2 (en) | 2009-02-10 | 2013-06-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR930024166A (ko) | 캐패시터와 그 형성방법 | |
| KR940006268A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| KR900003896A (ko) | 반도체 메모리와 그 제조방법 | |
| KR930020690A (ko) | 동적 메모리 셀 | |
| KR930022555A (ko) | 루테늄산염 전극을 갖는 커패시터 | |
| KR920015527A (ko) | 반도체장치 | |
| KR910003813A (ko) | 적층된 캐패시터 및 매립된 측방향 접촉부를 갖는 dram 셀 | |
| KR900005463A (ko) | 반도체 기억장치 및 그 제조방법 | |
| KR960032746A (ko) | 비트라인 상부에 형성된 커패시터를 갖는 반도체 메모리장치 | |
| KR960032739A (ko) | 반도체장치의 커패시터 및 그 제조방법 | |
| KR960012495A (ko) | 메모리 셀용 스위칭 트랜지스터 및 캐패시터 | |
| KR920015464A (ko) | 반도체 장치의 전극배선층 및 그 제조방법 | |
| KR920020719A (ko) | 반도체 메로리의 제조방법 | |
| KR970060385A (ko) | 가드링을 구비하는 반도체장치 및 이를 이용한 콘택 형성방법 | |
| KR910019234A (ko) | 다이나믹형 메모리의 제조방법 | |
| KR930003350A (ko) | 반도체 dram 소자용 캐패시터 제조방법 | |
| KR970024147A (ko) | 금속 전극을 가지는 반도체 장치의 커패시터 | |
| KR930003391A (ko) | 반도체 메모리 소자의 커패시터 제조 방법 | |
| KR920013595A (ko) | 기억소자의 구조 | |
| KR970072092A (ko) | 콘택홀 매립방법 | |
| KR890001171A (ko) | 반도체 장치의 폴리사이드 구조 | |
| KR920015555A (ko) | 노이즈면역 개선을 위한 메모리셀의 구조 | |
| KR930011197A (ko) | 트랜지스터 특성변화방지용 반도체장치 | |
| KR970024218A (ko) | 백금을 전극으로 사용하는 반도체 장치의 커패시터 | |
| KR970052361A (ko) | 반도체장치의 콘택형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |