KR890001171A - 반도체 장치의 폴리사이드 구조 - Google Patents
반도체 장치의 폴리사이드 구조 Download PDFInfo
- Publication number
- KR890001171A KR890001171A KR1019870006726A KR870006726A KR890001171A KR 890001171 A KR890001171 A KR 890001171A KR 1019870006726 A KR1019870006726 A KR 1019870006726A KR 870006726 A KR870006726 A KR 870006726A KR 890001171 A KR890001171 A KR 890001171A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- semiconductor device
- polyside structure
- silicide
- polysilicon
- polyside
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims 3
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 실리사이드 구조,
제2도는 폴리사이드 구조.
제3도는 본 발명에 따른 폴리사이드 구조.
Claims (1)
- 소정의 절연막 상층에 실리사이드(3)를 형성한 구조 또는 폴리실리콘(6)과 실리사이드(7)로 형성된 폴리사이드 구조의 전극층을 갖는 반도체 장치에 있어서, 상기 실리사이드(3)(7)상부에 폴리실리콘을 형성하여 역 폴리사이드 구조를 형성함을 특징으로 하는 반도체 장치의 폴리사이드 구조.※ 참고사항: 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019870006726A KR890004874B1 (ko) | 1987-06-30 | 1987-06-30 | 반도체 장치의 폴리사이드 구조 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019870006726A KR890004874B1 (ko) | 1987-06-30 | 1987-06-30 | 반도체 장치의 폴리사이드 구조 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR890001171A true KR890001171A (ko) | 1989-03-18 |
| KR890004874B1 KR890004874B1 (ko) | 1989-11-30 |
Family
ID=19262482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019870006726A KR890004874B1 (ko) | 1987-06-30 | 1987-06-30 | 반도체 장치의 폴리사이드 구조 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR890004874B1 (ko) |
-
1987
- 1987-06-30 KR KR1019870006726A patent/KR890004874B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR890004874B1 (ko) | 1989-11-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR850005160A (ko) | 적층형 반도체 기억장치 | |
| KR890013786A (ko) | 비정질 실리콘 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법 | |
| KR910001971A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR920007199A (ko) | 반도체기억장치 | |
| KR910013541A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR910007159A (ko) | Mos형 반도체장치 | |
| KR890001171A (ko) | 반도체 장치의 폴리사이드 구조 | |
| KR900004040A (ko) | 반도체 집적회로 디바이스 | |
| KR900001025A (ko) | 반도체장치 | |
| KR910008853A (ko) | 반도체장치와 그 제조방법 | |
| KR910007074A (ko) | 박막 트랜지스터 | |
| KR890008966A (ko) | 반도체장치의 배선접속부 | |
| KR920010876A (ko) | 폴리실리콘층에 금속층 콘택 형성방법 | |
| KR900005561A (ko) | 반도체장치 | |
| KR930003290A (ko) | 메탈콘택 형성방법 및 그 구조 | |
| KR910013551A (ko) | 2층 다결정실리콘을 이용한 sram셀의 저항증가 방법 | |
| KR900002469A (ko) | Bccd 제조방법 | |
| KR880000353A (ko) | 반도체 소재(素材)의 제조방법 | |
| KR920013595A (ko) | 기억소자의 구조 | |
| KR920015488A (ko) | 바이폴라-피모스 소자의 구조 | |
| KR870006630A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
| KR920003548A (ko) | 다층구조소자의 게이트 형성방식 | |
| KR930014937A (ko) | 반도체장치에 사용되는 리드 프레임 | |
| KR890013788A (ko) | 쌍극성 직접 회로소자 제조방법 | |
| KR920017232A (ko) | 반도체 메모리 소자의 커패시터 유전체막 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| G160 | Decision to publish patent application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20040331 Year of fee payment: 16 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |