KR930003290A - 메탈콘택 형성방법 및 그 구조 - Google Patents

메탈콘택 형성방법 및 그 구조 Download PDF

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KR930003290A
KR930003290A KR1019910011730A KR910011730A KR930003290A KR 930003290 A KR930003290 A KR 930003290A KR 1019910011730 A KR1019910011730 A KR 1019910011730A KR 910011730 A KR910011730 A KR 910011730A KR 930003290 A KR930003290 A KR 930003290A
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forming
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psg
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KR1019910011730A
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Inventor
이경희
Original Assignee
문정환
금성일렉트론 주식회사
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Abstract

내용 없음.

Description

메탈콘택 형성방법 및 그 구조
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 메탈콘택의 구조,
제3도는 본 발명의 메탈 콘택 형성 방법을 설명하기 위한 도면.

Claims (2)

  1. 바이폴라 반도체 제품의 메탈콘택형성 방법에 있어서, 반도체 소자와 반도체소자위의 산화막을 형성하고 이 산화막(2)위에 PSG층을 형성하는 단계와; 상기 PSG층을 식각하여 오버사이즈 콘택(6)을 형성하는 단계와; 상기 PSG층과 상기 콘(6)위에 CVD산화막(4)을 형성하는 단계와; 상기 CVD 산화막과 상기 반도체 소자위의 산화막(2)을 식각하여 콘택홀을 형성하고 메탄콘택을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 메탈콘택형성 방법.
  2. 반도체소자의 소정부분에 메탈콘택을 형성하고 기타부분은 산화막과 PSG막으로 덮은 구조의 메탈콘택 구조에 있어서, 상기 PSG막(3)은 산화막(2)과 산화막(4) 사이에 존재하면서 메탈전극(5)과는 직접적으로 접촉하지 아니하도록 배치한 것이 특징인 메탈콘택구조.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019910011730A 1991-07-17 1991-07-17 메탈콘택 형성방법 및 그 구조 KR930003290A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100928387B1 (ko) * 2008-07-08 2009-11-23 베스너 주식회사 마이크로 드릴 및 그의 제조 방법

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