KR900002469A - Bccd 제조방법 - Google Patents

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KR900002469A
KR900002469A KR1019880009292A KR880009292A KR900002469A KR 900002469 A KR900002469 A KR 900002469A KR 1019880009292 A KR1019880009292 A KR 1019880009292A KR 880009292 A KR880009292 A KR 880009292A KR 900002469 A KR900002469 A KR 900002469A
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KR
South Korea
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manufacturing
bccd
doped
doping
gate
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Application number
KR1019880009292A
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English (en)
Inventor
김태환
Original Assignee
강진구
삼성반도체통신 주식회사
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Publication date
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내용 없음

Description

BCCD 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2도는 본 발명의 수직 단면도.

Claims (1)

  1. 매우 얇게 도우핑된 P형 기판(10)상에 P형 물질(30)이 도우핑된 N-공핍층(20)을 도우핑한 후 절연층(40)을 형성하고 게이트(50)를 형성하여 구성 제조함을 특징으로 하는 BCCD제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880009292A 1988-07-23 1988-07-23 Bccd 제조방법 KR900002469A (ko)

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