KR920015488A - 바이폴라-피모스 소자의 구조 - Google Patents
바이폴라-피모스 소자의 구조 Download PDFInfo
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- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명 베이스 공정후의 소자단면도, 제4도는 본 발명 소자의 최종단면도
Claims (1)
- 바이폴라-피모스 소자 제조시 에피층에 바이폴라의 베이스 영역을 형성하되 이 베이스 영역을 피모스의 드레인으로 이용하도록 구성함을 특징으로 하는 바이폴라-피모스 소자의 구조.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910000574A KR920015488A (ko) | 1991-01-15 | 1991-01-15 | 바이폴라-피모스 소자의 구조 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910000574A KR920015488A (ko) | 1991-01-15 | 1991-01-15 | 바이폴라-피모스 소자의 구조 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920015488A true KR920015488A (ko) | 1992-08-27 |
Family
ID=67396435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910000574A KR920015488A (ko) | 1991-01-15 | 1991-01-15 | 바이폴라-피모스 소자의 구조 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920015488A (ko) |
-
1991
- 1991-01-15 KR KR1019910000574A patent/KR920015488A/ko not_active Application Discontinuation
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