KR910010627A - 편면 ldd 구조의 mos트랜지스터 - Google Patents
편면 ldd 구조의 mos트랜지스터 Download PDFInfo
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- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 이발명의 편면 LDD구조의 MOS트랜지스터
제3도는 이발명의 MOS트랜지스터의 실시예를 보이는 공정순서도
Claims (1)
- LDD구조를 채용한 MOS트랜지스터에 있어서, N+(3)층을 드레인쪽에만 편면 LDD구조의 MOS트랜지스터.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890016151A KR910010627A (ko) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | 편면 ldd 구조의 mos트랜지스터 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890016151A KR910010627A (ko) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | 편면 ldd 구조의 mos트랜지스터 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR910010627A true KR910010627A (ko) | 1991-06-29 |
Family
ID=67660928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019890016151A KR910010627A (ko) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | 편면 ldd 구조의 mos트랜지스터 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR910010627A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100328690B1 (ko) * | 1995-12-30 | 2002-11-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 접합 형성방법 |
-
1989
- 1989-11-08 KR KR1019890016151A patent/KR910010627A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100328690B1 (ko) * | 1995-12-30 | 2002-11-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 접합 형성방법 |
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