KR920013757A - 멀티 에미터 트랜지스터 구조 - Google Patents

멀티 에미터 트랜지스터 구조 Download PDF

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KR920013757A
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김용찬
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문정환
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70Bipolar devices
    • H01L29/72Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/73Bipolar junction transistors

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Abstract

내용 없음

Description

멀티 에미터 트랜지스터 구조
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도는 본 발명에 따른 멀티에미터 트랜지스터 구조 평면도, 제7도는 (A)(B)는 제6도의 구조 단면도

Claims (1)

  1. 베이스를 링 구조로 만들고, 그 가운데의 EPI영역에 컬렉터 콘택을 위치시키고, 컬렉터 주위에는 멀티 에미터를 위치시켜 멀티에미터들과 컬렉터간 거리를 동일하게 구성한 것을 특징으로 하는 멀티 에미터 트랜지스터 구조.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900020641A 1990-12-14 1990-12-14 멀티 에미터 트랜지스터 구조 KR930011465B1 (ko)

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