KR920013595A - 기억소자의 구조 - Google Patents

기억소자의 구조 Download PDF

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KR920013595A
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김현우
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문정환
금성일렉트론 주식회사
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof

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Abstract

내용 없음.

Description

기억소자의 구조
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제조공정을 나타낸 단면도.

Claims (1)

  1. 게이트와 드레인 및 소오스로 구성되는 트랜지스터 주변에 확산층-절연체-다결정 규소층으로 구성되는 커패시터를 갖고 사각형 기둥의 한쪽면만이 도핑되어 소오스와 커패시터 노드전극이 연결되며 드레인의 측면과 윗면에 다결정 실리콘을 형성하여 그 위에 비트라인 콘택을 갖도록 구성됨을 특징으로 하는 기억소자의 구조.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900020603A 1990-12-14 1990-12-14 기억소자의 구조 KR0172812B1 (ko)

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