KR960032739A - 반도체장치의 커패시터 및 그 제조방법 - Google Patents
반도체장치의 커패시터 및 그 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
확산장벽층 및 부착층의 측벽을 산화시켜서 고유전체막의 약화를 막고, 나아가서 커패시터의 용량저하를 방지하는 반도체장치의 커패시터 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명의 커패시터는 반도체기판상에 형성된 트랜지스터, 상기 트랜지스터를 포함하는 상기 반도체기판상에 제1컨택홀을 갖는 제1절연막과, 상기 제1컨택홀을 매립하여 형성된 제1도전층과, 상기 제1도전층 및 제1절연막상에 형성된 제2컨택홀을 갖는 제2절연막과, 상기 매립하여 형성된 제1도전층과, 상기 제1도전층 및 제1절연막상에 형성된 제2컨택홀을 갖는 제2절연막과, 상기 제2컨택홀의 측벽에 형성된 스페이스(spacer)와, 상기 제2컨택홀을 매립하여 형성된 제2도전층과, 상기 제2도전층 및 상기 제2절연막상에 순차적으로 형성된 부착층, 확산장벽층 및 하부전극, 상기 하부전극의 상부 및 측벽과 상기 확산장벽층 및 부착층의 측벽으로 형성된 스토리지노드 패턴, 상기 확산장벽층 및 부착층의 측벽 표면을 감싸는 모양으로 형성된 산화막, 상기 스토리지노드 패턴 전면에 형성된 고유전체막 및 상기 고유전체막 전면에 형성된 상부전극으로 구성된다. 본 발명에 의하면 상기 부착층 및 확산장벽층의 측벽에 산화막을 형성함으로써 상기 고유전체막의 약화를 막고, 따라서 누설전류를 감소시키며, 상기 하부전극의 측벽을 커패시터의 유효면적으로 활용할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2E도는 본 발명을 이용한 반도체장치의 커패시터 및 그 제조방법을 단계별로 나타낸 도면들이다.
Claims (7)
- 반도체기판상에 형성된 트랜지스터; 상기 트랜지스터를 포함하는 반도체기판 전면에 형성된 제1컨택홀을 갖는 제1절연막; 상기 제1컨택홀을 매립하여 형성된 제1도전층; 상기 제1도전층 및 제1절연막상에 형성된 제2 컨택홀을 갖는 제2절연막; 상기 제2컨택홀의 측벽에 형성된 스페이서(spacer); 상기 제2컨택홀을 매립하여형성된 제2도전층; 상기 제2도전층 및 제2절연막상에 순차적으로 형성된 부착층, 확산장벽층 및 하부전극; 상기 하부전극의 상부 및 측벽과 상기 확산장벽층 및 부착층의 측벽으로 형성된 스토리지노드 패턴; 상기 확산장벽층 및 부착층의 측벽의 표면을 감싸는 모양으로 형성된 산화막; 상기 스토리지노드 패턴전면에 형성된 고유전체막; 및 상기 고유전체막상에 형성된 상부전극으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막은 상기 확산장벽층 및 부착층의 측벽표면자체를 산화시켜 형성된 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터.
- 반도체기판상에 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 반도체기판 전면에 제1컨택홀을 갖는 제1절연막을 형성하는 단계; 상기 제1컨택홀을 매립하여 제1도전층을 형성하는 단계; 상기 제1도전층 및 제1절연막상에 제2컨택홀을 갖는 제2절연막을 형성하는 단계; 사기 제2컨택홀의 측벽에 스페이서(spacer)를 형성하는 단계; 상기 제2컨택홀을 매립하여 제2도전층을 형성하는 단계; 상기 제2도전층 및 제2절연막상에 부착층, 확산장벽층 및 하부전극을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 하부전극의 상부 및 측벽과 상기 확산장벽층 및 부착층의 측벽으로 구성되는 스토리지노드 패턴을 형성하는 단계; 상기 확산장벽층 및 부착층의 측벽의 표면을 감싸는 모양으로 산화막을 형성하는 단계; 상기 스토리지노드 패턴상에 고유전체막을 형성하는 단계; 및 상기 고유전체막상에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하는 반도체장치의 커패시터 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 산화막은 상기 확산장벽층 및 부착층의 측벽표면자체를 산화시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 하부전극은 Ru, RuO2로 이루어지는 일군중 선택된 어느하나를 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 상부전극은 Pt, Ru, TiN 및 RuO2로 이루어지는 일군중 선택된 어느하나를 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 고유전체막은 사기 스토리지노드 측벽의 표면을 산화시킬 때와 같은 온도에서 인-시튜(in-situ)방법으로 MOCVD 방식을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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