KR970067977A - 전극의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

폴리실리콘 플러그상에 티탄막 및 티탄질화막을 순차형성한다. 다음, 질화티탄막을 산화시키고, 질화티탄을 산화시킨 막을 형성한다. 그후, 하부전극 및 PZT막을 형성한다. 확산배리어층은, 질화티탄을 산화시킨 막으로 형성되며, 하부전극을 형성하기 전에 산화된다. 이에 의해, 종래와 같이, 하부전극의 형성후에 확산배리어층이 산화되지 않아, 이 산화에 기인하는 확산배리어층과 하부 전극간의 박리를 방지할 수 있다.

Description

전극의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 상기 반도체 메모리소자의 제조공정을 보인 것으로, 인출전극 생성후의 반도체 메모리소자의 구조단면도.

Claims (11)

  1. 전극부; 및 상기 전극부의 일방의 면상에 제공되고, 불순물의 통과를 방지하는 도전성의 확산배리어층을 포함하는 전극의 제조방법으로서, (1) 적어도 상기 전극부의 단접면이, 금속질화산화물로 구성되는 상기 확산배리어층을 형성하는 제1공정; 및 (2) 상기 제1공정후에, 상기 확산배리어층의 당접면상에 상기 전극부를 형성하는 제2공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전극의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1공정은 상기 확산배리어층의 당접면으로 되는 금속질화산화막을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전극의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 금속질화산화막을 질화산화티탄막인 것을 특징으로 하는 전극의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1공정은, (a) 상기 확산배리어층의 상기 당접면으로 되는 금속질화막을 형성하는 공정; 및 (b) 적어도 상기 금속질화막의 상기 당접면을 산화시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전극의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 금속질화막은 질화티탄막인 것을 특징으로 하는 전극의 제조방법.
  6. 제1항에 기재된 전극의 제조방법에 의해 제조된 전극.
  7. 전극부와, 이 전극부의 일방의 면상에 제공되고, 불순물의 통과를 방지하는 도전성의 확산배리어층을 갖는 전극; 및 상기 전극부의 타방면에 제공된 강유전성 또는 고유전율을 갖는 유전막을 포함하는 커패시터의 제조방법으로서, (1) 적어도 상기 전극부와의 당접면이, 금속질화산화물로 구성되는 상기 확산배리어층을 형성하는 제1공정; (2) 상기 제1공정후에, 상기 확산배리어층의 당접면상에 상기 전극부를 형성하는 제2공정; 및 (3) 상기 제2공정후에, 상기 전극부의 상기 당접면과는 반대측에 상기 유전막을 형성하는 제3공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터의 제조방법.
  8. 제7항에 기재된 커패시터의 제조방법에 의해 제조된 커패시터.
  9. 전극부와, 이 전극부의 일방의 면상에 제공되고, 불순물의 통과를 방지하는 도전성의 확산배리어층을 갖는 전극; 및 상기 전극부의 타방면에 제공된 강유전성 또는 고유전율을 갖는 유전막을 갖는 커패시터; 및 상기 커패시터의 충방전을 제어하는 반도체로 구성되는 반도체 장치의 제조방법으로서, (1) 적어도 상기 전극부와의 당접면이, 금속질화산화물로 구성되는 상기 확산배리어층을 형성하는 제1공정; (2) 상기 제1공정후에, 상기 확산배리어층의 당접면상에 상기 전극부를 형성하는 제2공정; (3) 상기 제2공정후에, 상기 전극부의 상기 당접면과는 반대측에, 상기 유전막을 형성하는 제3공정; 및 (4) 상기 확산배리어층을 통해 전극부에 접속되는 반도체를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  10. 제9항에 기재된 반도체 장치의 제조방법에 의해 제조된 반도체 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 반도체장치가 메모리소자로서 사용되는 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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