KR920018950A - 비트선과 스토리지노드를 중첩시킨 반도체메모리소자 및 그 제조방법 - Google Patents

비트선과 스토리지노드를 중첩시킨 반도체메모리소자 및 그 제조방법 Download PDF

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KR920018950A
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전영권
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문정환
금성일렉트론 주식회사
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices

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  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

비트선과 스토리지노드를 중첩시킨 반도체메모리소자 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 (a)~(i)는 본 발명의 1실시예에 따른 제조공정도,
제4도는 제3도의 레이아우트이다.

Claims (7)

  1. 양단하부에 플리실리콘으로된 측벽이 마련되며 워드선에 직각방향으로 형성되는 비트선과 동일방향으로 스토리지노드를 형성한 비트선과 스토리지노드를 중첩시킨 반도체메모리소자.
  2. 반도체 기판상에 소자 격리를 위한 필드산화막, 게이트, 소오스 및 드레인 영역, 상기 게이트를 덮은 제1산화막을 차례로 형성하고 전면에 제1질화막과 제2질화막을 도포하는 공정과, 비트라인 콘택상의 상기 제2산화막과 상기 질화막을 제거하고 폴리실리콘으로된 제1측벽을 형성한후 전면에 비트선, 평탄화용절연막, 제2질화막을 차례로 도포하고 비트선영역만 남기고 나머지를 제거하는 공정과, 그 측면에 질화막으로된 제2측벽을 형성하고 노출된 부분의 상기 제2산화막을 제거한 후 전표면에 노출되어 있는 제1,제2질화막, 제2측벽을 제거하는 공정과, 그 측면에 산화막으로된 제3측벽을 형성하는 공정과, 그위에 스토리지폴리, 유전체막, 플레이트로 되는 커패시터를 형성하는 공정으로 이루어진 비트선과 스토리지노드를 중첩시킨 반도체 메모리 소자의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 평탄화용 절연막은 산화막으로 대체될 수 있음을 특징으로 하는 비트선과 스토리지노드를 중첩시킨 반도체메모리소자의 제조방법.
  4. 제2항에 있어서,상기 평탄화용 절연막으로서 폴리이미드를 사용하는 것을 특징으로 하는 비트선과 스토리지노드를 중첩시킨 반도체메모리소자의 제조방법.
  5. 제2항에 있어서, 상기 평탄화용 절연막으로써 SOG를 사용하는 것을 특징으로 하는 비트선과 스토리지노드를 중첩시킨 반도체메모리소자의 제조방법.
  6. 제2항에 있어서, 비트선으로써 고융점금속을 사용하는 것을 특징으로하는 비트선과 스토리지노드를 중첩시킨 반도체메모리소자의 제조방법.
  7. 제2항에 있어서, 비트선으로써 실리사이드를 사용하는 것을 특징으로 하는 비트선과 스토리지노드를 중첩시킨 반도체메모리소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910004139A 1991-03-15 1991-03-15 비트선과 스토리지노드를 중첩시킨 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법 KR960006744B1 (ko)

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DE4208129A DE4208129C2 (de) 1991-03-15 1992-03-13 Halbleiterspeicherbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
US07/850,676 US5270561A (en) 1991-03-15 1992-03-13 Semiconductor memory device with a ring-shaped bit line
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100266020B1 (ko) * 1997-12-16 2000-10-02 김영환 캐패시터및그의형성방법

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