KR970072404A - 불휘발성 기억장치의 셀 제조방법 - Google Patents
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Abstract
불휘발성 기억장치의 셀 제조방법이 개시되어 있다. 본 발명은 반도체기판의 소정영역 상에 소자분리를 위한 필드산화막을 형성하는 단계; 상기 필드산화막 사이의 반도체기판 상에 터널산화막을 형성하는 단계; 상기 결과물 전면에 제1도전막을 형성하는 단계; 상기 필드산화막이 노출될 때까지 상기 제1도전막을 평탄화시키어 상기 터널산화막 상에 제1도전막 패턴을 형성하는 단계; 상기 결과물 전면에 유전막 및 제2도전막을 형성하는 단계; 및 상기 제2도전막, 상기 유전막, 및 상기 제1도전막을 연속적으로 패터닝하여 상기 터널산화막의 소정 영역 상에 차례로 적층된 부유게이트, 층간 유전막 및 제어게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 기억장치의 셀 제조방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 필드산화막에 가해지는 손상을 방지할 수 있고 필드산화막 상에 유전막 패턴이 잔존하는 현상을 제거할 수 있다. 따라서, 소자분리 특성을 개선시킬 수 있으며, 후속공정시 패턴불량이 발생하는 현상을 방지할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A도 내지 제3C도 제1도의 절단선 AA′에 따른 본 발명에 의한 불휘발성 기억장치의 셀을 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
Claims (2)
- 반도체기판의 소정영역 상에 소자분리를 위한 필드산화막을 형성하는 단계; 상기 필드산화막 사이의 반도cp기판 상에 터널산화막을 형성하는 단계; 상기 결과물 전면에 제1도전막을 형성하는 단계; 상기 필드산화막이 노출될 때까지 상기 제1도전막을 평탄화시키어 상기 터널산화막 상에 제1도전막 패턴을 형성하는 단계; 상기 결과물 전면에 유전막 및 제2도전막을 형성하는 단계; 및 상기 제2도전막, 상기 유전막, 및 상기 제1도전막을 연속적으로 패터닝하여 상기 터널산화막의 소정영역 상에 차례로 적층된 부유게이트, 층간 유전막 및 제어게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 기억장치의 셀 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1도전막 패턴은 상기 제1도전막을 에치백 공정 또는 CMP 공정으로 평탄화하여 형성하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 기억장치의 셀 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR1019960012531A KR970072404A (ko) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 불휘발성 기억장치의 셀 제조방법 |
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| KR1019960012531A KR970072404A (ko) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 불휘발성 기억장치의 셀 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR970072404A true KR970072404A (ko) | 1997-11-07 |
Family
ID=66217233
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| KR1019960012531A KR970072404A (ko) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 불휘발성 기억장치의 셀 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970072404A (ko) |
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1996
- 1996-04-24 KR KR1019960012531A patent/KR970072404A/ko not_active Application Discontinuation
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