KR920003461A - 접촉영역 형성방법 및 그를 이용한 반도체장치의 제조방법 - Google Patents
접촉영역 형성방법 및 그를 이용한 반도체장치의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 3(A)~(F)도는 이 발명의 일실시예에 따른 반도체장치의 제조공정도이다.
Claims (12)
- 반도체장치의 제조방법에 있어서, 제1도전형의 반도체기판상의 소정 부분에 필드산화막을 형성하여 스위칭 트랜지스터 영역을 한정하는 공정과, 상기 필드산화막과 스위칭 트랜지스터영역의 소정부분에 게이트산화막, 다결정 실리콘층, 보호산화막 및 식각 저지층을 각각 형성하는 공정과, 상기 다결정 실리콘층의 측면에 스페이서를 형성하는 공정과, 상기 스위칭 트랜지스터영역에 상기 제1도전형과 다른 도전형인 제2도전형의 확산영역을 형성하는 공정과, 상기 형성된 구조의 전표면에 산화막을 형성하는 공정과, 상기 소정의 확산영역 표면에 형성되어 있는 산화막을 자기정합 방법에 의해 제거하는 공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 접촉영역 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 식각저지층을 산화막 보다 에칭선택비가 큰 절연막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 접촉영역 형성방법.
- 제2항에 있어서, 상기 절연막을 Si3N4, TiN 또느 Al2O3중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 접촉영역 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 확산영역 표면의 산화막을 제거할때 낫 오픈이 되지않도록 오버에칭하는 것을 특징으로 하는 접촉영역 형성방법.
- 제4항에 있어서, 상기 오버에칭할때 식각저지층에 의해 보호산화막의 손상을 방지하는 것을 특징으로 하는 접촉영역 형성방법.
- 반도체장치의 제조방법에 있어서, 제1도전형의 반도체기판상의 소정부분에 필드산화막을 형성하여 스위칭 트랜지스터영역을 한정하는 공정과, 상기 필드산화막과 스위칭 트랜지스터영역의 소정부분에 게이트 산화막, 제1다결정 실리콘층, 제1보호산화막 및 제1식각 저지칭을 각각 형성하는 공정과, 상기 제1다결정 실리콘층의 측면에 제1스페이서를 형성하는 공정과, 상기 스위칭 트랜지스터영역에 상기 제1도전형과 다른 도전형의 제1 및 제2 확산영역을 형성하는 공정과, 상기 형성된 구조의 전표면에 제1중간 산화막을 형성하는 공정과, 상기 제1확산 영역표면에 형성되어 있는 제1중간 산화막을 자기정합 방법으로 제거하여 제1접촉영역을 형성하는 공정과, 상기 제1접촉영역에 제2다결정 실리콘, 제2보호 산화막, 제2식각 저지층을 형성하는 공정과, 상기 제2다결정 실리콘층의 측면에 제2스페이서를 형성하는 공정과, 상기 형성된 구조의 전표면의 제2중간산화막을 형성하는 공정과, 상기 제2확산영역 표면에 형성되어 있는 제1 및 제2중간 산화막을 자기정합 방법으로 제거하여 제2 접촉영역을 형성하는 공정과, 상기 제2 접촉영역상에 제3다결정 실리콘층, 유전막 및 제4 다결정 실리콘층을 형성하는 공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 제1 및 제2보호산화막을 300~1000A 정도로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 제1및 제2식각 저지층을 산화막 보다 에칭선택비가 큰 절연막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제8항에 있어서, 상기 절연막을 Si3N4, TiN 또는 Al2O3중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기 절연막을 200~500A 정도로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 제1 및 제2접촉영역을 형성할때 오버에칭하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제11항에 있어서, 상기 오버에칭할때 제1 및 제2식각 저지층에 의해 제1 및 제2 보호산화막의 손상을 방지 하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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