KR980006285A - 반도체 소자의 워드라인 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 워드라인 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 워드라인 형성방법을 제공하는 것으로, 소정의 고정으로 형성된 게이트 전극간의 공정을 절연막으로 매립하여 단차를 없애므로써 평탄한 실리사이드 구조를 갖는 워드라인을 형성하여 워드라인의 저항증가를 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2a내지 2c도는 본 발명에 다른 반도체 소자의 워드라인 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도
Claims (2)
- 반도체 소자의 워드라인 형성방법에 있어서, 실리콘기판상에 적층형 게이트 전극을 형성한 후 접합영역을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 게이트 전극간의 공간이 매립되도록 절연막을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 절연막에 에치백 공정을 실시하여 게이트 전극의 공간에만 절연막이 남도록 하는 단계와, 상기단계로부터 상기 실리콘기판의 전체 상부면에 폴리실리콘층 및 텅스텐 실리사이드층을 순차적으로 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 워드라인 형성방법
- 제1항에 있어서, 상기 절연막은 산화막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 워드라인 형성방법
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960025563A KR980006285A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 반도체 소자의 워드라인 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960025563A KR980006285A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 반도체 소자의 워드라인 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980006285A true KR980006285A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66240763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960025563A KR980006285A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 반도체 소자의 워드라인 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980006285A (ko) |
-
1996
- 1996-06-29 KR KR1019960025563A patent/KR980006285A/ko not_active Application Discontinuation
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