KR970072455A - 박막트랜지스터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
박막트랜지스터의 제조방법에 대해 기재되어 있다. 이는, 박막트랜지스터를 형성하는 단계, 박막트랜지스터를 구성하는 소오스/드레인을 노출시키는 1차 접촉창을 형성하는 단계, 1차 접촉창과 접속하는 패드를 형성하는 단계, 패드가 형성되어 있는 결과를 기판 전면에 층간절연층을 형성하는 단계, 패드를 노출시키는 2차 접촉창을 층간절연층에 형성하는 단계 및 2차 접촉창과 접속하는 소오스/드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서 소오스/드레인 전극과 소오스/드레인의 접촉을 신뢰도 높게 달성할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제8도는 본 발명의 다른 실시예에 의해 제조된 박막트랜지스터를 도시한 단면도이다.
Claims (3)
- 박막트랜지스터를 형성하는 제1단계; 상기 박막트랜지스터를 구성하는 소오스/드레인을 노출시키는 1차 접촉창을 형성하는 제2단계; 상기 1차 접촉창과 접속하는 패드를 형성하는 제3단계; 상기 패드가 형성되어 있는 결과를 기판 전면에 층간절연층을 형성하는 제4단계; 상기 패드를 노출시키는 2차 접촉창을 상기 층간절연층에 형성하는 제5단계; 및 상기 2차 접촉창을 통해 상기 패드와 접속하는 소오스/드레인 전극을 형성하는 제6단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 소오스/드레인은 다결정 실리콘으로 된 활성층에 형성되고, 상기 제1접촉창은 상기 소오스/드레인을 절연하는 산화막에 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 산화막은 1,000Å-2000Å 정도의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960012561A KR970072455A (ko) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 박막트랜지스터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960012561A KR970072455A (ko) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 박막트랜지스터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970072455A true KR970072455A (ko) | 1997-11-07 |
Family
ID=66216779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960012561A KR970072455A (ko) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 박막트랜지스터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970072455A (ko) |
-
1996
- 1996-04-24 KR KR1019960012561A patent/KR970072455A/ko not_active Application Discontinuation
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