KR970060509A - 반도체소자의 제조방법 - Google Patents

반도체소자의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한것으로, 활성층을 확산법으로 형성할 수 있어 공정단가를 감소시키고 제작수율을 높일 수 있도록 한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 기판을 준비하는 단계; 상기 기판상에 제1고농도 절연막과, 상기 제1고농도 절연막위에 제2고농도 절연막을 각각 형성하는 단계; 상기 제2고농도 절연막 및 제2고농도 절연막을 선택적으로 제거하여 표면위에 제1저농도 절연막과, 상기 제1저농도 절연막위에 제2저농도 절연막으 형성하는 단계; 상기 제1 및 제2고농도 절연막들과, 상기 제1 및 제2저농도 절연막들을 열처리하여 상기 반도체기판에 제1 및 제2고농도 영역과 저농도 영역을 각각 형성하는 단계; 상기 제1 및 제2저농도 절연막드로가 상기 제1 및 제2고농도 절연막들을 상기 저농도영역 전체와 제1 및 제2고농도영역들의 일부분위에만 남도록 선택적으로 제거하여 메사형태로 형성하는 단계; 상기 제1 및 제2고농도영역의 노출된 표면에 각각 소오소전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 상기 저농도영역의 일부분만 노출되도록 상기 남아 있는 제1 및 제2저농도 절연막들을 선택적으로 제거하는 단계; 상기 노출된 저농도영역상의 반도체기판에 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 제1 및 제2저농도 절연막들 및 상기 제1 및 제2고농도 절연막들을 제거하는 단계를 포함하여 이루어진다.

Description

반도체소자의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a~2l도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조공정 단면도.

Claims (5)

  1. 기판을 준비하는 단계; 상기 기판상에 제1고농도 절연막과, 상기 제1고농도 절연막위에 제2고농도 절연막을 각각 형성하는 단계; 상기 제2고농도 절연막 및 제2고농도 절연막을 선택적으로 제거하여 콘택홀을 제거하는 단계; 상기 콘택홀을 포함한 상기 제2고농도 절연막의 노출된 표면위에 제1저농도 절연막과, 상기 제1저농도 막들을 상기 저농도영역 절연막위에 제2저농도 절연막을 형성하는 단계; 상기 제1 및 제2고농도 절연막들과, 상기 제1 및 제2저농도 절연막들을 열처리하여 상기 반도체기판에 제1 및 제2고농도영역과 저농도영역을 각각 형성하는 단계; 상기 제1 및 제2저농도 절연막들과 상기 제1 및 제2고농도 절연막들을 상기 저농도영역 전체와 제1 및 제2고농도영역들의 일부분위에만 남도록 선택적으로 제거하여 메사형태로 형성하는 단계; 상기 제1 및 제2고농도영역의 노출된 표면에 각각 소오스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계; 상기 제1 및 제2고농도영역의 노출된 표면에 각각 소오스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계; 상기 저농도영역의 일부분만 노출되도록 상기 남아 있는 제1 및 제2저농도 절연막들을 선택적으로 제거하는 단계; 상기 노출된 저농도영역상의 반도체기판에 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 제1 및 제2저농도 절연막들 및 상기 제1 및 제2고농도 절연막들을 제거하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1고농도 절연막과 제1저농도 절연막은 동일한 절연막을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 절연막은 산화막을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2고농도 절연막과 제2저농도 절연막은 동일한 절연막을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 절연막은 질화막을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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