KR970018622A - 불 휘발성 메모리장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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Abstract
읽을 때 과도제거된 이웃셀로 인한 읽기 불량을 방지할 수 있는 불휘발성 메모리장치 및 그 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 반도체 기판상에 형성된 터널산화막과, 상기 터널산화막 상에 형성된 부유게이트용 제1도전층과, 상기 제1도전층을 덮으면서 기판에 형성되며, 패스 트랜지스터의 게이트 절연막 연결하는 층간 절연막과, 상기 층간절연막 상에 형성된 제어게이트용 제2도전층과, 상기 제어게이트와 인접한 기판 표면 근방에 형성된 소오스/드레인 영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리장치를 제공한다. 본 발명에 의하면, 제2도전층(제어게이트)과 층간 절연막을 이용하여 셀과 패스 트랜지스트를 형성하였다. 또한 층간 절연막을 부유게이트 상부와 양 측면에 형성시켜 셀 프로그램시 커플링비를 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 의한 불휘발성 메모리 장치의 회로도이다.
제4도는 본 발명에 의한 불휘발성 메모리장치의 단면도이다.
제5A도 내지 제5E도는 본 발명의 불휘발성 메모리장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
Claims (3)
- 반도체 기판상에 형성된 터널산화막; 상기 터널산화막 상에 형성된 부유게이트용 제1도전층;상기 제1도전층을 덮으면서 기판에 형성되며, 패스 트랜지스터의 게이트 절연막 연결되는 층간 절연막; 상기 층간절연막상에 형성된 제어게이트용 제2도전층; 및 상기 제어게이트와 인접한 기판 표면 근방에 형성된 소오스/드레인 영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리장치
- 제1항에 있어서, 상기 소오스/드레인 영역은 이중의 불순물층으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리장치
- 반도체 기판 위에 산화막을 형성하는 단게; 상기 산화막 상에 제1도전물질을 형성한 후 상기 산화막과 도전물질을 패터닝하여 터널산화막과 제1도전층을 형성하는 단계; 상기 제1도전층이 형성된 기판의 전면에 절연막과 제2도전물질을 형성하는 단계; 및 상기 절연막과 제2도전물질을 패터닝하여, 셀용 층간절연막과 패스트랜지스터용 게이트 절연막 및 제2도전층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리장치
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950029328A KR970018622A (ko) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 불 휘발성 메모리장치 및 그 제조방법 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950029328A KR970018622A (ko) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 불 휘발성 메모리장치 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970018622A true KR970018622A (ko) | 1997-04-30 |
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ID=66597289
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019950029328A KR970018622A (ko) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 불 휘발성 메모리장치 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970018622A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100733549B1 (ko) * | 2003-04-25 | 2007-06-28 | 가부시끼가이샤 도시바 | 부유 게이트와 제어 게이트를 갖는 ｍｏｓ 트랜지스터를포함하는 반도체 기억 장치 |
-
1995
- 1995-09-07 KR KR1019950029328A patent/KR970018622A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100733549B1 (ko) * | 2003-04-25 | 2007-06-28 | 가부시끼가이샤 도시바 | 부유 게이트와 제어 게이트를 갖는 ｍｏｓ 트랜지스터를포함하는 반도체 기억 장치 |
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