KR970008616A - 불휘발성 반도체 메모리 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

신규한 불휘발성 반도체 메모리장치 및 그 제조방법이 개시되어 있다. 제1도전형의 반도체기판 상에 절연막을 개재하여 부유게이트, 층간절연막 및 제어게이트가 수직 적층된 셀 트랜지스터가 형성된다. 상기 층간절연막을 게이트절연막으로 사용하고 제어게이트를 게이트로 사용하는 패스 트랜지스터가 셀트랜지스터에 인접한 영역에 형성된다. 제어게이트를사이에 둔 기판 표면에, 소오스/드레인으로 작용하는 제2도전형의 제1 및 제2불순물영역에 형성된다. 부유게이트 일측면 하부의, 제1 및 제2불순물영역 중의 어느 하나와 절연막 사이에 터널절연막이 형성된다. 터널절연막 하부에, 제1 및 제2불순물영역 중의 어느 하나에 접하는 제2도전형의 제3불순물영역이 형성된다. 단순화된 공정으로 과도소거에 의한 판독 오동작을 방지할 수 있다.

Description

불휘발성 반도체 메모리 장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 의한 불휘발성 반도체 메모리장치의 레이아웃도, 제4A도 및 제4B도는 본 발명에 의한 불휘발성 반도체 메모리장치의 단면도들.

Claims (6)

  1. 제1도전형의 반도체기판 상에 절연막을 개재하여 부유게이트, 층간절연막 및 제어게이트가 수직 적층되어 이루어진 셀 트랜지스터; 상기 셀 트랜지스터에 인접한 기판 상에, 상기 층간절연막을 게이트절연막으로 사용하고 상기 제어게이트를 게이트로 사용하는 패스 트랜지스터; 상기 제어게이트를 사이에 두고 상기 기판 표면에 형성되며, 소오스/드레인으로 작용하는 제2도전형의 제1 및 제2불순물영역; 상기 부유게이트의 일측면 하부에서, 상기 제1및 제2불순물영역 중의 어느 하나와 상기 절연막 사이에 형성된 터널절연막; 및 상기 터널절연막 하부에서 상기 제1 및 제2불순물영역 중의 어느 하나에 접하여 형성된 제2도전형의 제3불순물영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 터널절연막은 상기 절연막의 두께보다 얇은 두꼐로서 형성된 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 층간절연막은 다층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리장치.
  4. 제1도전형의 반도체기판 상에 절연막을 형성하는 단계; 사진식각 공정으로 상기 절연막을 식각하고, 노출된 기판 표면에 제2도전형의 제1불순물을 주입하는 단계; 상기 노출된 기판 상에 터널절연막을 형성하는 단계; 상기 터널절연막이 형성된 결과물 상에 제1도전층을 형성하는 단계; 상기 제1도전층을 패터닝하여 부유게이트를 형성하는 단계; 상기 부유게이트 상에 층간절연막 및 제2도전층을 차례로 형성하는 단계; 상기 제2도전층 및 층간절연막을 패터닝하여 제2도전층으로 이루어진 제어게이트를 형성하는 단계; 및 제2도전형의 제2불순물을 주입하여 소오스 및 드레인을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리장치의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 터널절연막은 상기 절연막의 두께보다 얇은 두께로서 형성하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리장치의 제조방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 층간절연막은 다층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100712089B1 (ko) * 1997-10-07 2007-05-02 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 반도체메모리장치 및 그 제조방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100712089B1 (ko) * 1997-10-07 2007-05-02 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 반도체메모리장치 및 그 제조방법
KR100712087B1 (ko) * 1997-10-07 2008-01-22 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 반도체메모리장치및그제조방법

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