KR940010327A - 메모리 셀 제조방법 - Google Patents
메모리 셀 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR940010327A KR940010327A KR1019920018759A KR920018759A KR940010327A KR 940010327 A KR940010327 A KR 940010327A KR 1019920018759 A KR1019920018759 A KR 1019920018759A KR 920018759 A KR920018759 A KR 920018759A KR 940010327 A KR940010327 A KR 940010327A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- field oxide
- forming
- oxide film
- memory cell
- line direction
- Prior art date
Links
Landscapes
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
본 발명은 고집적반도체 소자의 NOR형 메모리 셀 제조방법에 관한 것으로, 비트라인 방향으로 필드 산화막을 길게 연장되도록 형성하고. 워드라인 방향의 공통소오스라인은 길게 연장되도록 형성하기 위하여 먼저 실리콘기판에 필드산화막은 길게 연장되도록 형성한후, 예정된 공정순서에 의해 플레쉬 EEPROM 또는 EPROM을 형성하고 필드 산화막과 공통소오스라인이 겹쳐지는 부분에 필드산화막을 제거하고 불순물을 주입시켜 확산영역을 형성하여 필드 산화막 좌우에 형성된 소오스/드레인 확산영역을 연결시키는 제조방법이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 의해 각각의 영역을 도시한 레이아웃트 도면,
제6도는 제5도의 A-A′를 따라 도시한 단면도,
제7도는 제5도의 B-B′를 따라 도시한 단면도,
제8도는 제5도의 C-C′를 따라 도시한 단면도,
제9A도내지 제9K도는 제7도의 제조단계를 도시한 단면도.
Claims (1)
- NOR형 메모리 셀 제조방법에 있어서, 필드 산화막을 비트라인 방향으로 길게 연장되도록 형성하고 공통소오스라인을 워드라인 방향으로 길게 연장되도록 형성하기 위하여, 실리콘 기판에 필드 산화막을 비트라인 방향으로 계속 연장되도록 형성하고, 예정된 공정순서에 의해 플래쉬 EEPROM 또는 EPROM의 부유게이트 및 제어게이트를 형성하는 단계와, 노출된 실리콘 기판으로 소오스/드레인용 확산용역으로 형성하는 단계와, 전체구조 상부에 층간절연층을 형성하고, 예정된 공통소모스라인과 겹쳐지는 필드 산화막 상부의 층간 절연층을 제거하고 그 하부의 필드 산화막을 제거하여 창을 형성하는 단계와, 상기 창을 통해 불순물을 실리콘 기판으로 주입하여 상기 소오스/드레인용 확산영역들을 상호 접속시키는 확산영역을 형성하는 단계와 예정된 영역에 비트라인을 형성하고, 보호막을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 NOR형 메모리 셀 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920018759A KR940010327A (ko) | 1992-10-13 | 1992-10-13 | 메모리 셀 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920018759A KR940010327A (ko) | 1992-10-13 | 1992-10-13 | 메모리 셀 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940010327A true KR940010327A (ko) | 1994-05-26 |
Family
ID=67210342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920018759A KR940010327A (ko) | 1992-10-13 | 1992-10-13 | 메모리 셀 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940010327A (ko) |
-
1992
- 1992-10-13 KR KR1019920018759A patent/KR940010327A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR950030375A (ko) | 플로팅 게이트로부터의 캐리어의 주입 및 추출을 위한 프로그래밍 영역을 가진 불 휘발성 반도체 메모리 | |
| KR960009205A (ko) | 불휘발성 반도체기억장치 | |
| KR930011232A (ko) | 불휘발성 반도체메모리장치 및 그 제조방법 | |
| KR960026895A (ko) | 이이피롬 셀 및 그 제조방법 | |
| KR900002319A (ko) | 자외선소거형 불휘발성 반도체기억장치 | |
| KR970072450A (ko) | 플래쉬 메모리 및 이의 제조방법 | |
| KR950034731A (ko) | 비휘발성 반도체 메모리장치의 제조방법 | |
| KR960006046A (ko) | 플레쉬 이.이.피.롬의 제조방법 | |
| KR940006272A (ko) | 고속액세스 ˝우회금속 가상접지(amg) 전기적으로 프로그램가능한 판독전용 메모리(eprom)˝를 제조하는 방법. | |
| KR940010327A (ko) | 메모리 셀 제조방법 | |
| KR950012773A (ko) | 불휘발성 반도체 기억 장치 및 그의 제조 방법 | |
| KR970054227A (ko) | Nand형 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법 | |
| KR970060484A (ko) | 비휘발성 메모리 셀 제조 방법 | |
| KR960026771A (ko) | 비휘발성 메모리 소자 제조방법 | |
| KR970018622A (ko) | 불 휘발성 메모리장치 및 그 제조방법 | |
| KR960019752A (ko) | 플래쉬 이이피롬(eeprom) 및 그 제조방법 | |
| KR960026900A (ko) | 가상 접지 eprom 셀 구조를 갖는 비휘발성 반도체 기억 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR900017190A (ko) | 반도체 집적회로 장치 | |
| KR950007164A (ko) | 플레쉬 메모리 및 그 제조방법 | |
| KR930017190A (ko) | 반도체 기억장치 및 그의 제조방법 | |
| KR970054216A (ko) | 반도체 기억소자와 그 제조방법 | |
| KR950007132A (ko) | 불휘발성 반도체 메모리 장치의 제조방법 | |
| KR960012526A (ko) | 플래쉬 이이피롬 제조방법 | |
| KR960043262A (ko) | 반도체 메모리 소자 및 그 제조 방법 | |
| KR950021795A (ko) | 폴리실리콘 박막 트랜지스터를 사용한 플래쉬 이이피롬 셀 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |