KR970072450A - 플래쉬 메모리 및 이의 제조방법 - Google Patents

플래쉬 메모리 및 이의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체장치 구조 및 제조방법에 관한 것으로 프로그래밍(쓰기) 및 소거 효율을 향상시키는데 적당한 플래쉬 메모리 및 이의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.이를 위한 본 발명의 프래쉬 메모리는 서로 일정간격을 두고 격리된 제1도전형의 제1불순물영역과 제2불순물영역을 갖는 제2도전형의 기판과, 상기 제1불순물영역상의 일부분에 형성된 제1도전형 플로팅 게이트와, 상기 제1도전형 플로팅 게이트를 덮고 형성되는 제2도전형 플로팅 게이트와, 상기 제2도전형 플로팅 게이트상에 차례로 형성되는 절연층과 제1도전형 컨트롤 게이트를 포함하여 구비됨을 특징으로 하는 본 발명의 플래쉬 메모리 제조방법은 기판을 마련하는 제1스텝과, 소거동작이 일어나는 부분을 제외한 기판상에 제1절연층, 제1도전형의 제1반도체층 차례로 형성하는 제2스텝과, 상기 소거동작이 일어나는 부분의기판상에 제2절연층, 제2도전형의 제2반도체층을 차례로 형성하는 제3스텝과, 상기 제2반도체층과 제1반도체층상에 제1도전형의 제3반도체 층을 형성하는 제4스텝과, 상기 제1반도체층과 제2반도체층의 적어도 일부를 덮도록 상기 제3반도체층 상에 제3절연층, 제1도전형의 제4반도체층을 차례로 형성하는 제5스텝과, 상기 제4반도체층상에 마스크를 씌운 후 제1, 제2 및 제3반도체층을 제거하여 상기 기판을 부분적으로 노출시키는 제6스텝과, 상기 기판의 노출된 부분에 제1도전형의 불순물을 주입하여 불순물 확산영역을 형성하는 제7스텝을 포함하여 이루어진다.

Description

플래쉬 메모리 및 이의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도 (a) 내지 (f)는 본 발명의 플래쉬 메모리 제조방법을 나타낸 공정단면도.

Claims (17)

  1. 서로 일정간격을 두고 격리된 제1도전형의 제1불순물영역과 제2불순물영역을 갖는 제2도전형의 기판; 상기 제1불순물영역상의 일부분에 형성되는 제2도전형 플로팅 게이트와; 상기 제2도전형 플로팅 게이트를 덮고 형성되는 제1도전형 플로팅 게이트와; 상기 제1도전형 플로팅 게이트상에 차례로 형성되는 절연층과 제1도전형컨트롤 게이트를 포함하여 구비됨을 특징으로 하는 플래쉬 메모리.
  2. 제1항에 있어서, 제1도전형은 N도전형은 제3도전형을 P도전형임을 특징으로 하는 플래쉬 메모리.
  3. 제1항에 있어서, 제1, 제2도전형 플로팅 게이트의 물질은 폴리실리콘을 사용함을 특징으로 하는 플래쉬 메모리.
  4. 제1항에 있어서, 제1도저형 컨트롤 게이트의 물질은 폴리실리콘을 사용함을 특징으로 하는 플래쉬 메모리.
  5. 제1항에 있어서, 절연층은 산화물 질화물 중 어느 하나임을 특징으로 하는 플래쉬 메모리.
  6. 제1항에 있어서, 제1불순물영역은 소오스로 사용되고 제2불순물영역은 드레인으로 사용됨을 특징으로 하는 플래쉬 메모리.
  7. 기판을 마련하는 제1스텝; 소거동작이 일어나는 부분을 제외한 기판상에 제1절연층, 제1도전형의 제1반도체층 차례로 형성하는 제2스텝; 상기 소거동작이 일어나는 부분의 기판상에 제2절연층, 제2도전형의 제2반도체층을 차례로 형성하는 제3스텝; 상기 제2반도체층과 제1반도체층상에 제1도전형의 제3반도체층을 형성하는 제 4스텝; 상기 제1반도체층과 제2반도체층의 적어도 일부를 덮도록 상기 제3반도체층 상에 제3절연층, 제1도전형의 제4반도체층을 차례로 형성하는 제5스텝; 상기 제4반도체층상에 마스크를 씌운 후 제1, 제2 및 제3반도체층을 제거하여 상기 기판을 부분적으로 노출시키는 제6스텝; 상기 기판의 노출된 부분에 제1도전형의 불순물을 주입하여 불순물 확산영역을 형성하는 제7스텝을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 제1, 제3, 제4반도체층은 N도전형이고 제2반도체층은 P도전형임을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 제조방법.
  9. 제7항에 있어서, 제1절연층의 두께는 제2절연층의 두께 보다 두껍게 형성됨을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 제조방법.
  10. 제7항에 있어서, 제3절연층은 산화물, 질화물, 산화물-질화물-산화물 중 하나임을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 제조 방법.
  11. 제7항에 있어서, 제2절연층은 티넬링이 가능한 얇은 산화막으로 사용함을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 제조방법.
  12. 제7항에 있어서, 불순물 확산영역은 N도전형임을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 제조 방법.
  13. 제7항에 있어서, 소오스 불순물 확산영역은 드레인 불수물 확산영역 보다 깊게 형성됨을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 제조방법.
  14. 제7항에 있어서, 제1, 제2, 제3반도체층은 플로팅 게이트로 사용되고 제4반도체층은 사용됨을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 제조방법.
  15. 제7항에 있어서, 불순물 확산영역은 소오스와 드레인으로 사용됨을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 제조방법.
  16. 제9항에 있어서, 제4스텝은 제2폴리실리콘층 상부에 평탄화용 절연층을 증착하는 스텝; 낮은 단차를 갖는 상기 제2폴리실리콘층 상부에만 남도록 평탄화용 절연층을 제거하는 스텝; 제1폴리실리콘층과 동일 단차를 갖도록 상기 평탄화용 절연층, 제2폴리실리콘층, 제2절연층을 제거하는 스텝으로 이루어짐을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 제조방법.
  17. 제16항에 있어서, 평탄화용 절연층은 BPSG, PSG 등으로 형성됨을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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