JP5588293B2 - 半導体不揮発性メモリ装置 - Google Patents
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第1導電型の半導体表面領域の表面に、互いに間隔を置いて設けられた第2導電型のソース領域とドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記半導体領域表面であるチャネル形成領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域と前記チャネル形成領域の上にゲート絶縁膜を介して設けられたフローティングゲート電極と、前記フローティングゲート電極とコントロールゲート絶縁膜を介して容量結合したコントロールゲート電極とからなる電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリにおいて、前記ドレイン領域内のトンネル領域には、トンネル絶縁膜が設けられており、前記トンネル絶縁膜の上部であって、前記トンネル領域のエッジ部から離間した位置に、電荷受け渡し用電極が配置され、前記電荷受け渡し用電極と前記フローティングゲート電極とは、電気的に接続されている電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置とした。
また、前記電荷受け渡し用電極と前記フローティングゲート電極とは、ポリシリコンにより形成されている電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置とした。
さらに、前記トンネル絶縁膜あるいは前記コントロールゲート絶縁膜の少なくとも一方は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の複合膜である電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置とした。
これらの手段によって、電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置における書き換え特性や保持特性に顕著に影響を与えるトンネル領域の欠陥の生じやすいエッジ部への電界集中を防止し、占有面積を増加することなくトンネル絶縁膜の劣化を抑制して高い信頼性を持った電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置を得ることができる。
これらの手段によって、電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置における書き換え特性や保持特性に顕著に影響を与えるトンネル領域801の欠陥の生じやすいエッジ部への電界集中を防止し、占有面積を増加することなくトンネル絶縁膜401の劣化を抑制して高い信頼性を持った電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置を得ることができる。
201 N型ソース領域
202 N型ドレイン領域
301 ゲート絶縁膜
401 トンネル絶縁膜
402 エッジ部
501 フローティングゲート電極
521 電荷受け渡し用電極
601 コントロールゲート絶縁膜
701 コントロールゲート電極
801 トンネル領域
931 トンネル領域エッジと電荷受け渡し用電極との離間領域
991 導電体
Claims (2)
- 第1導電型の半導体基板の表面に、互いに間隔を置いて設けられた第2導電型のソース領域とドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記半導体基板の表面近傍であるチャネル形成領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域と前記チャネル形成領域の上にゲート絶縁膜を介して設けられたフローティングゲート電極と、前記フローティングゲート電極とコントロールゲート絶縁膜を介して容量結合したコントロールゲート電極とからなる電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリにおいて、
前記ドレイン領域内のトンネル領域には、トンネル絶縁膜が設けられており、前記トンネル絶縁膜の上部であって、前記トンネル絶縁膜のすべてのエッジ部から離間した位置に、電荷受け渡し用電極が配置され、前記電荷受け渡し用電極と前記フローティングゲート電極とは、電気的に接続されている電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置。 - 前記電荷受け渡し用電極と前記トンネル領域のエッジ部との離間幅は、前記ゲート絶縁膜の膜厚以上である請求項1記載の電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置。
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