KR890003030A - 플로팅 게이트를 갖는 반도체장치 - Google Patents

플로팅 게이트를 갖는 반도체장치 Download PDF

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히데아끼 야마모도
도시히사 쯔가다
요시아끼 가미가끼
데쯔오 아다찌
도꾸오 구레
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미다 가쓰시게
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Abstract

내용없음

Description

플로팅 게이트를 갖는 반도체장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2도는 본 발명을 구성하고 있는 문제 해결의 수단을 도시한 도면. 제 3도, 제 4도는 본 발명에 의한 소거 동작시 접합 누설 전류 저감의 기구 설명도

Claims (15)

  1. 게이트 절연막상에 마련된 플로팅 게이트 전극과 그 위에 적어도 일부분이 적층하는 형태로 충간 절연막을 거쳐서 마련된 콘트롤 게이트 전극을 갖는 절연 게이트형 전계효과 트랜지스터로써, 상기 플로팅 게이트 전극이 드레인 영역 및 소오스 영역의 적어도 한쪽과 겹치는 부분에 있어서 상기 게이트 산화막에 인가되는 전계가 국소적으로 변조되는 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 게이트 절연막상에 마련된 플로팅 게이트 전극과 그 위에 적어도 일부분이 적층하는 형태로 충간 절연막을 거쳐서 마련된 콘트롤 게이트 전극을 갖는 절연 게이트형 전계효과 트랜지스터로써, 상기 플로팅 게이트 전극이 드레인 영역 및 소오스 영역의 적어도 한쪽과 겹치는 영역에 있어서 상기 게이트 절연막이 국소적으로 얇게 되어 있고, 또한 상기 막두께가 얇은 영역이 상기 드레인 영역 및 소오스 영역을 구성하는 적어도 한쪽의고농도 영역상의 한정되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 특허청구의 범위 제 2항에 있어서, 상기 드레인 영역 및 소오스 영역의 접합 내압이 서로 다르고, 내압이 높은쪽의 영역과 접하는 게이트 전국 끝부분에 있어서 게이트 절연막의 막두께가 국소적으로 얇게 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 게이트 절연막상에 마련된 플로팅 게이트 전극과 그 위에 적어도 일부분이 적층하는 형태로 층간 절연막을 거쳐서 마련된 곤트롤 게이트 전극을 갖ㄴㄴ 절연 게이트형 전계효과 트랜지스터로써, 사기 플롤팅 게이트 전극이 드레인 영역 및 소오스 영역의 적어도 한쪽과 겹치는 영역에 잇어서 상기 게이트 절연막의 막두께가 국소적으로 두껍게 되어있고, 또한 상기 막두께가 두껍게 되어 있는 영역이 찬넬 영역상부에까지 미치고 있는 것을 특징으로 하는반도체 장치.
  5. 특허청구의 범위 제 4항에 있어서, 상기 게이트 산화막두께가 국소적으로 두껍게 되어 있는 영역이 소오스 접합 또는 드레인 접합네서 찬넬 영역으로 확장하는 공핍층 영역을 덮고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  6. 특허청구의 범위 제 4항에 있어서, 상기 드레인 영역 및 소오스 영역의 접합 내압이 서로 다르고, 내압이 낮은쪽의 영역과 접하는 게이트 전극 끝부분에 있어서 게이트 산화막 두께가 국소적으로 두껍게 되어 있는 것을 특징으로하는 반도체 장치.
  7. 게이트 절연막상에 마련된 플로팅 게이트 전극과 그 위에 적어도 일부분이 적층하는 형태로 층간 절연막을 거쳐서 마련된 콘트롤 게이트 전극을 갖는 절연 게이트형 전계효과 트랜지스터로써, 상기 플로팅 게이트 전극이 드레인 영역및 소오스 영역의 적어도 한쪽과 겹치는 부분의 불순물 농도가 높고, 또한 상기 플로팅 게이트 전극의 나머지 영역에 있어서는 상기 드레인, 소오스 영역과는 반대 도전형의 불순물이 저농도로 첨가되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  8. 특허청구의 범위 제 7항에 있어서, 상기 플로팅 게이트 전극의 고농도 불순물 영역이 상기 플로팅 게이트 전극 하부의 드레인 영역 및 소오스 영역을 구성하는 적어도 한쪽의 고농도 영역상에 한정되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
  9. 특허청구의 범위 제 7항에 있어서, 상기 고농도 불순물 영역의 불순물 농도가 1020㎝-3이상이고, 그외의 부분의 불순물 농도가 1019㎝-3이하인 것을 특징으로 하는 반도체 장치
  10. 특허청구의 범위 제 7항에 있어서, 상기 플로팅 게이트 전그그이 찬넬 방향의 폭이 상기 콘트롤 게이트 전극의 폭보다도 넓은 것을 특징으로 하는 반도체 장치
  11. 특허청구의 범위 제 7항에 있어서, 상기 드레인 영역 및 소오스 영역의 접합 내압이 서로 다르고, 내압이 높은 쪽의 영역과 접하는 플로팅 게이트 전극 끝부분의 불순물 농도가 높게 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
  12. 특허청구의 범위 제 11항에 있어서, 상기 드레인 영역 및 소오스 영역중 접합 내압이 높은쪽의 영역은 적어도 찬넬 영역측의 끝부분에 있어서 접합 내압이 낮은쪽의 영역보다도 저농도의 불순물층으로 되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
  13. 특허청구의 범위 제 11항에 있어서, 상기 드레인 영역 및 소오스 영역중 접합 내압이 낮은쪽의 영역을 고농도 불순물층으로 형성함과 동시에 상기 고농도 불순물층에 접해서 반도체 기판과 동일 도전형이고, 또한 기판보다 고농도의 반도체 영역을 마련한 것을 특징으로 하는 반도체 장치
  14. 특허청구의 범위 제 11항에 있어서, 상기 드레인 영역 또는 소오스 영역중 접합 내압이 낮은쪽의 영역에서 발생한 열 캐리어를 상기 플로팅 게이트 전극에 주입 유지시키는 것에 의해 정보를 전기적으로 라이트하고, 또한 기억시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
  15. 특허청구의 범위 제 11항에 있어서, 상기 플로팅 게이트 전극에 축적된 전하를 드레인 영역 또는 소오스 영역중 접합 내압이 높은쪽의 영역으로 터널 천이로 인출하는 것에 의해 기억 정보를 전기적으로 소거하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880008319A 1987-07-08 1988-07-05 플로팅 게이트를 갖는 반도체장치 KR890003030A (ko)

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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0642168B1 (en) * 1989-07-18 1998-09-23 Sony Corporation Non-volatile semiconductor memory device
US5108939A (en) * 1990-10-16 1992-04-28 National Semiconductor Corp. Method of making a non-volatile memory cell utilizing polycrystalline silicon spacer tunnel region
US5618742A (en) * 1992-01-22 1997-04-08 Macronix Internatioal, Ltd. Method of making flash EPROM with conductive sidewall spacer contacting floating gate
EP0552531B1 (en) * 1992-01-22 2000-08-16 Macronix International Co., Ltd. Non-volatile memory cell and array architecture
US5526307A (en) * 1992-01-22 1996-06-11 Macronix International Co., Ltd. Flash EPROM integrated circuit architecture
JP3474614B2 (ja) * 1993-12-14 2003-12-08 マクロニクス インターナショナル カンパニイ リミテッド 不揮発性半導体メモリ装置及びその動作方法
EP0830684B1 (en) * 1995-06-07 2004-08-25 Macronix International Co., Ltd. Automatic programming algorithm for page mode flash memory with variable programming pulse height and pulse width
KR100192546B1 (ko) * 1996-04-12 1999-06-15 구본준 플래쉬 메모리 및 이의 제조방법
DE102004052218B3 (de) * 2004-10-27 2006-04-27 Infineon Technologies Ag Speicheranordnung mit geringem Stromverbrauch

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5857750A (ja) * 1981-10-01 1983-04-06 Seiko Instr & Electronics Ltd 不揮発性半導体メモリ
EP0164605B1 (en) * 1984-05-17 1990-02-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing nonvolatile semiconductor eeprom device
JPS61131486A (ja) * 1984-11-29 1986-06-19 Res Dev Corp Of Japan 半導体不揮発性メモリ
JPS61222175A (ja) * 1985-03-01 1986-10-02 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置の製造方法
JPS6289364A (ja) * 1985-10-16 1987-04-23 Seiko Instr & Electronics Ltd 不揮発性半導体記憶装置

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