KR970063753A - 불 휘발성 메모리 셀과 그 프로그래밍 방법 - Google Patents

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KR970063753A
KR970063753A KR1019970004978A KR19970004978A KR970063753A KR 970063753 A KR970063753 A KR 970063753A KR 1019970004978 A KR1019970004978 A KR 1019970004978A KR 19970004978 A KR19970004978 A KR 19970004978A KR 970063753 A KR970063753 A KR 970063753A
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지텐드라 제이. 마크와나
다릴 에프 몬테일
에피옹 에이 오몬
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빈센트 비. 인그라시아
모토로라 인코포레이티드
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    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/788—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with floating gate
    • H01L29/7881—Programmable transistors with only two possible levels of programmation
    • H01L29/7884—Programmable transistors with only two possible levels of programmation charging by hot carrier injection
    • H01L29/7885—Hot carrier injection from the channel

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Abstract

불 휘발성 메모리 기억 셀(13)의 프로그래밍 시간은 웰 영역(12)에 불 휘발성 메모리 셀(13)을 형성시킴으로써 감소된다. 웰 영역(12)의 존재는 불 휘발성 메모리 셀(13)의 채널 영역에 존재하는 전자의 수를 증가시킨다. 채널 영역(14)의 전자 수는 또한 소스 영역(15)과 관련된 웰 영역(12)에 전위를 놓음으로써 증가한다. 전압 차로 전자는 웰 영역(12)에 주입되고 그것은 채널 영역(14)의 전자 수를 증가시킨다.

Description

불 휘발성 메모리 셀과 그 프로그래밍 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 메모리 셀의 단면을 도시하는 도면.

Claims (5)

  1. 불 휘발성 메모리 셀을 프로그래밍 하는 방법에 있어서, 불 휘발성 메모리 셀을 제공하는 단계와, 여기서 상기 불 휘발성 메모리 셀은 a) 제1전도성이며 제2전도성의 웰 영역(12)을 갖는 반도체 기판(10)과, b) 상기 웰 영역(12) 및 상기 반도체 기판(10) 사이에 전위를 제공하는 웰 영역으로의 접촉부(22)를 포함하며, c) 상기 불 휘발성 메모리 셀(13)은 부동 게이트 영역(18), 제어 게이트 영역(21), 상기 웰 영역(17) 위에 놓인 유전체 층을 가지며, 상기 불 휘발성 메모리 셀(13)은 소스 영역(15), 드레인 영역(16), 웰 영역(12) 내의 채널 영역(14)을 가지며, 상기 채널 영역(14)은 상기 소스 영역(15) 및 상기 드레인 영역(16) 사이에 있으며, 상기 불 휘발성 메모리 셀(13)의 상기 드레인 영역(16)상에 제1전위를 두는 단계와, 제1전위 및 제2전위가 상기 불 휘발성 메모리 셀(13)의 상기 채널 영역(14)을 통과하는 전류를 제공하도록 상기 불 휘발성 메모리 셀(13)의 상기 소스 영역(15)에 상기 제2전위를 두는 단계와, 상기 소스 영역(15)으로부터 상기 웰 영역으로 전자의 흐름을 제공하도록 상기 웰 영역(12)에 대한 접촉부(22)에 제3전위를 두는 단계와, 상기 불 휘발성 메모리 셀(13)의 상기 제어 게이트 영역 상에, 핫캐리어 주입으로써 상기 채널 영역(14)으로부터의 전자를 상기 부동 게이트 영역(18)으로 향하게 하는 제4전위를 두는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 불 휘발성 메모리 셀 프로그래밍 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 불 휘발성 메모리 셀의 유전체층(17)은 300옹스트롬보다 더 두꺼운 것을 특징으로 하는 불 휘발성 메모리 셀 프로그래밍 방법.
  3. 불 휘발성 메모리 셀을 프로그래밍 하는 방법에 있어서, 전기적으로 프로그램 가능한 판독 전용 메모리 셀을 제공하는 단계와, 여기서 전기적으로 프로그램 가능한 판독 전용 메모리 셀은 웰 영역(12)을 갖는 반도체기판(10)과, 상기 웰 영역(12)에 형성된 소스 영역(15) 및 드레인 영역(16)과, 제어게이트 영역(21), 부동게이트 영역(18), 상기 웰 영역(12)위에 놓인, 최소한 300옹스트롬의 두께인 유전체층(17)을 포함하며, 상기 전기적으로 프로그램 가능한 판독 전용 메모리 셀의 상기 드레인 영역(16)에 제1전위를 두는 단계와, 상기 전기적으로 프로그램 가능한 판독 전용 메모리 셀의 상기 소스 영역(15)에 제2전위를 두는 단계와, 상기 제1전위 보다 작고 상기 제2전위 보다 큰 제3전위를 상기 웰 영역(12)에 두는 단계와, 상기 부동 게이트 영역(18)으로 전자들을 향하게 하는 제4전위를 상기 전기적으로 프로그램 가능한 판독 전용 메모리 셀의 상기 제어 게이트 영역(21)에 놓음으로써상기 전기적으로 프로그램 가능한 판독 전용 메모리 셀을 프로그래밍 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 불 휘발성 메모리 셀 프로그래밍 방법.
  4. 불 휘발성 메모리 셀(13)에 있어서, 표면을 갖는 반도체 기판(10)과, 상기 반도체 기판(10)의 표면과 접촉하는, 반도체 기판 내의 웰 영역(12)과, 상기 웰 영역(12)내의 소스 영역(15) 및 드레인 영역(16)과, 최소한 300옹스트롬 두께이고, 상기 반도체 기판(10)의 상기 표면 위에 놓인 제1유전체층(17)과, 부동 게이트 영역(18)이 상기 소스 영역(15) 및 상기 드레인 영역(16) 사이의 채널(14)을 변조하도록 상기 제1유전체층(17)위에 놓인 상기 부동 게이트 영역(18)과, 상기 반도체기판(10)에 대한 제1전기 접촉부(23)와, 상기 웰 영역(12)에 대한 제2전기 접촉부(22)를 포함하며, 상기 제1전기 접촉부(23) 및 상기 제2전기 접촉부(22)는 전기적으로 격리되어 제1전위가 상기 웰 영역(12)상에 놓일 수 있고 반면에 제2전위는 상기 반도체기판(10)상에 놓일 수 있는 것을 특징으로 하는 불 휘발성 메모리 셀.
  5. 불 휘발성 메모리 셀(13)에 있어서, 반도체 재료의 바디(10)와, 반도체 재료의 바디(10)에 형성된 웰 영역(12)과, 상기 웰 영역(12)내의, 상기 웰 영역(12)과 다른 전도성인 소스 영역(15) 및 드레인 영역(16)과, 상기 소스 영역(15) 및 상기 드레인 영역(16) 사이의 상기 웰 영역(12)의 최소한의 일부를 덮고, 최소한 350옹스트롬의 두께인 제1유전체층(17)과, 상기 제1유전체층(17)위에 놓인 부동 게이트 영역(18)과, 상기 반도체 재료의 바디(10)에 대한 제1전기 접촉부(23)와, 상기 제1전기 접촉부(23)로부터 전기적으로 격리된, 상기 웰 영역(12)에 대한 제2전기 접촉부(22)를 포함하는 것을 특징으로 하는 불 휘발성 메모리 셀.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970004978A 1996-02-21 1997-02-19 불 휘발성 메모리 셀과 그 프로그래밍 방법 KR970063753A (ko)

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