KR960015965A - 부유게이트 전극을 가지는 반도체 불휘발성 메모리셀 - Google Patents

부유게이트 전극을 가지는 반도체 불휘발성 메모리셀 Download PDF

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KR960015965A
KR960015965A KR1019950034514A KR19950034514A KR960015965A KR 960015965 A KR960015965 A KR 960015965A KR 1019950034514 A KR1019950034514 A KR 1019950034514A KR 19950034514 A KR19950034514 A KR 19950034514A KR 960015965 A KR960015965 A KR 960015965A
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도시유끼 니시하라
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이데이 노브유끼
소니 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은 반도체기판과 부유게이트 사이의 게이트 절연막의 두께를 채널폭 방향에 대해서 그 중앙부에서 얇고 주변부에서 두껍게 형성한 구조로 함으로써, 버즈비크에 의한 커플링 레시오의 변동을 억지하고, 기입및 소거의 특성인 불균일을 작게한 반도체 불휘발성 기억장치이다.

Description

부유게이트 전극을 가지는 반도체 불휘발성 메모리셀
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 관계되는 불휘발성 메모리셀의 실시예의 채널폭방향의 단면도이다,
제5도(A)∼(E)는 제4도에 나타내는 불휘발성 메모리셀의 제조방법을 공정순으로 나라낸 도면이다,
제6도는 본 발명에 관계되는 불휘발성 메모리셀의 실시예의 평면패턴 배치도이다,
제7도(A)∼(D)는 제6도에 있어서의 A-A'선, B-B'선, C-C'선, D-D'선 각부의 단면도이다.

Claims (4)

  1. 채널영역을 정하는 기판상에 간격져 떨어진 소스영역 및 드레인영역과, 상기 채널영역위에 배치되고 그로부터 절연된 부유게이트 부제와, 상기 부유게이트 부제상에 배치되고 그로부터 형성된 제어게이트 부제와를 가지는 전기적으로 프로그램 가능하며 형성된 게이트 전계효과 트랜지스터 메모리셀에 있어서, 상기 부유게이트 부제와 상기 기판사이의 형성된층이 상기 부유게이트 부제의 중앙부분보다 상기 부유게이트 부제의 가장자리부가 더 두껍도록 구성된 것을 특징으로 하는 부유게이트 전극을 가지는 반도체 불휘발성 메모리셀.
  2. 채널영역을 정하는 기판상에 간격져 떨어진 소스영역 및 드레인영역과, 상기 채널영역상에 배치되고 그로부터 절연된 부유게이트 부제와, 상기 부유게이트 부제 위에 배치되고 그로부터 형성된 제어게이트 부제와를 가지는 형성된 게이트 전계효과 트랜지스터 메모리셀과, 상기 제어게이트와 접속된 워드선과, 상기 워드선에 수직인 상기 소스영역에 접속된 소스선과, 상기 워드선에 수직인 상기 드레인영역에 점속된 비트선과를 포함하는 전기적으로 프로그램 가능한 메모리배열에 있어서, 상기 셀은 상기 부유게이트 부제와 상기 기판사이의 절연층이 상기 부유게이트의 중앙부보다 상기 게이트부제의 주변부가 더 두껍게 구성된 것을 특징으로 하는 부유게이트 전극을 가지는 반도체 불휘발성 메모리셀.
  3. 제1항에 있어서, 전하가 상기 형성된층의 더 얇은 영역을 통해서 상기 부유게이트로 사출되도록 구성된것을 특징으로 하는 부유게이트 전극을 가지는 반도체 불휘발성 메모리셀.
  4. 제2항에 있어서, 소스영역 및 드레인 영역을 워드선과 마스크로서 필드산화물충으로 형성되어 구성된 것을 특징으로 하는 부유게이트 전극을 가지는 반도체 불휘발성 메모리셀.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950034514A 1994-10-31 1995-10-09 부유게이트 전극을 가지는 반도체 불휘발성 메모리셀 KR960015965A (ko)

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JP94-267733 1994-10-31

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JPH08130258A (ja) 1996-05-21

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