KR920015582A - 반도체 장치의 평탄화방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (a) - (g)는 본 발명에 따른 평탄화공정도이다.
Claims (1)
- 반도체장치의 제조공정에 있어서, 웨이퍼상의 유전체막, 제1포토레지스트막을 차례로 도포하는 공정과, 단차가 넓게 형성된 부분이외의 상기 제1포토레지스트막을 제거하는 공정과, 남아있는 상기 제1포토레지스트막에 자외선 큐어링을 실시하는 공정과, 전면에 제2포토레지스트막을 도포하는 공정과, 에치백하여 평탄화하는 공정으로 이루어진 반도체장치의 평탄화 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910000644A KR0179000B1 (ko) | 1991-01-16 | 1991-01-16 | 반도체 장치의 평탄화방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019910000644A KR0179000B1 (ko) | 1991-01-16 | 1991-01-16 | 반도체 장치의 평탄화방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920015582A true KR920015582A (ko) | 1992-08-27 |
| KR0179000B1 KR0179000B1 (ko) | 1999-04-15 |
Family
ID=19309900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910000644A KR0179000B1 (ko) | 1991-01-16 | 1991-01-16 | 반도체 장치의 평탄화방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR0179000B1 (ko) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100922074B1 (ko) * | 2002-12-02 | 2009-10-16 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 소자 분리막 형성방법 |
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-
1991
- 1991-01-16 KR KR1019910000644A patent/KR0179000B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
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|---|---|
| KR0179000B1 (ko) | 1999-04-15 |
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