KR950012848A - 반도체 소자의 제조 방법 - Google Patents

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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching

Abstract

본 발명에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 소정 기판의 상부에 제1물질층을 형성하는 공정과 제1물질층의 상부에 소정 패턴을 갖는 식각 마스크층을 형성하는 공정 및 식각 마스크층을 주 식각 마스크로 하고 상기 제1물질층을 다이나믹 식각 마스크로 사용하여 상기 기판을 식각하는 공정을 구비한다. 제1물질층으로서는 자연산화막을 형성할 수 있고, 식각 마스크층으로는 포토 레지스터층을 형성하도록 할 수 있다. 또한 기판이 화합물 반도체 기판인 경우에는 상기 식각용액으로 H2SO4:H2O2:H2O 또는 NH4OH:H2O2:H2O을 사용할 수 있다. 이러한 반도체 소자의 제조방법은 보다 다양한 식각 결과물 형상을 얻도록 하는 잇점이 있다.

Description

반도체 소자의 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 제조 공정시 중간 단계에서 나타나는 반도체 소자의 단면도이다.
제3A도 및 제3B도는 본 발명에 따른 식각 공정 수행시 나타나는 중간 결과물들의 단면을 순차적으로 나타낸 것들이다.
제4A도 및 제4B도는 본 발명에 따른 식각 공정 수행시, 확산성 제어방식의 식각 용액을 사용한 경우에 나타나는 식각 결과물들의 단면도들이다.
제5도 및 제5B도는 본 발명에 따른 식각 공정 수행시, 반응성 제어 방식의 식각 용액을 사용한 경우에 나타나는 식각 결과물들의 단면도들이다.

Claims (4)

  1. 소정 기판의 상부에 제1물질층을 형성하는 공정; 상기 제1물질층의 상부에 소정 패턴을 갖는 식각 마스크층을 형성하는 공정; 및 상기 식각 마스크층을 주 식각 마스크로 하고 상기 제1물질층을 다이나믹 식각 마스크로 사용하여 상기 기판을 식각하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1물질층을 형성하는 공정은 상기 기판을 대기중에 노출시켜 자연산화막을 형성시키는 공정이고, 상기 식각 마스크층을 형성하는 공정은 소정 패턴을 갖는 포토레지스터층을 형성하는 공정인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 기판 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 식각 공정은 식각 용액으로서 H2SO4:H2O2:H2O 또는 NH4OH:H2O2:H2O을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR100413698B1 (ko) * 2000-11-08 2003-12-31 주식회사 나노텍코리아 숙성된 불포화 폴리에스테르계 폴리머 모르타르 및 그 제조방법

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